igbt的e级和g极并联电阻的大小

igbt的e级和g极并联电阻的大小应该是无穷大，因为IGBT管的输入级是场效应管。IGBT是指绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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igbt管g极与e极之间并联一个46k电阻

在门极和发射极开放的状态下，集电极-发射极间施加电压时，IGBT有可能损坏。这是由于集电极电势的变化，会有电流经过集电极和门极之间的电容流过，此时IGBT的门极电压上升，IGBT开通，集电极电流流过，从而使IGBT发热甚至有失效的可能性。另外在门极电流故障，或者门极电路不能正常工作的状态下，主电路外加电压时，也会由于上述理由使IGBT受损，所以在门极-发射极之间连接10k-100K左右的电阻。

igbt供g极电源的电阻值是多少？

IGBT供极电源的电阻值取决于它的类型，大小和用途。一般而言，它的电阻值范围在几毫欧姆到100小时之间。但要注意，这是一个比较广泛的指标，IGBT的电阻值还取决于它的工作温度，驱动电压，固定方面，封装等等。如果您需要更详细的信息，建议您咨询技术专家，他们会根据您的特定需求提供更实际的帮助。感谢您的提问，祝您玩得开心！

IGBT极性检测的一个疑问。

IGBT管的好坏判定：正常的IGBT管G极c/e极间正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管的e、c极间正向电阻（红表笔接e极黑表笔接c极）3.5K左右，不含阻尼二极管的IGBT管e/c极间电阻均为50K左右，记住IGBT管中间脚为集电极（C极）。另外一个问题，电磁炉不通电，完全没反应，没有滴的声音，这一情况需要检查电源线，插座、电源电路了。

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如何判断电磁炉IGBT管的电极

维修电磁炉的时候，经常需要测量判断igbt管子的好坏，这里介绍用普通指针万用表测量判断igbt管的方法。

检测igbt管时，可用指针万用表的r×1k挡，正反测g、e及g、c两极的电阻，正常均应为无穷大；然后红表笔接c极，黑表笔接e极，若所测阻值在3.3~4.3kω，则为管子内含阻尼二极管的igbt管，若所测阻值在50~100kω，则所测igbt管内不含阻尼二极管。如果测量igbt管有两个引脚的电阻很小，说明管子已击穿损坏；若正反测量igbt管c、e极的电阻均为无穷大，则表明已开路损坏。实践表明，很多电磁炉中损坏的igbt管都呈现为击穿特征，开路损坏的相对少见。

MOS管和IGBT判断各个极和测量好坏的方法相同吗？

静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

先将两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd = Rgs = Rds =无穷大，Rsd=几千欧。IGBT管的G极到c、 e极的电阻应为无穷大，即Rgc= Rge =无穷大，而IGBT管的之间有阻尼-极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce =无穷大，Rec= 几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。测量得阻值很小，则说明管子被击穿，测量阻值很大，说明管子内部断路。

动态测量区分MOS管和IGBT管

先用万用表给管子的栅极施加电压，是场效应管建立起沟道，然后测量D、S及c、 e之间的阻值，根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、 e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，Rds= Rsd≈0,而Rce之间呈现电阻Rce,晶体三极管处于放大状态的导通电阻，Rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出MOS与IGBT

igbt栅极电阻会影响开关速度么?

那是非常一定的,栅极电阻的大小决定了IGBT的开关速度.

A、 Rg值小——充放电较快,能减小开关时间和开关损耗,增强工作的耐固性,避免带来因dv/dt的误导通.不足的是承受噪声能力小,易产生寄生振荡,使开通时di/dt变大,增加逐流二极管（FWD） 恢复时的浪涌电压.

B、 Rg值大——性能与上述相反.

栅极驱动的布线对防止潜在振荡,减慢栅极电压上升,减小噪音损耗,降低栅极电压或减小栅极保护电路的效率有较大的影响.要注意事项如下：

A、 将驱动器的输出级和IGBT之间的寄生电感减至最低.

B、 驱动板和屏蔽栅极驱动电路要正确放置,以防功率电路和控制电路之间的电感耦合.

C、 采用辅助发射极端子连接栅极驱动电路.

D、 当驱动PCB板和IGBT控制端子不可能作直接连接时,建议用双股绞线（2转/CM小于3CM长）或带状线,同轴线.

E、 栅极箝位保护电路,必须按低电感布线,并尽量放置于IGBT模块的栅极, 发射极控制端子附近.

F、 由于IGBT的开关会使用相互电位改变,PCB板的线条之间彼此不宜太近, 过高的dv/dt会由寄生电容产生耦合噪声.若布线无法避免交叉或平衡时,必须采用屏蔽层,加以保护.

G、 要减少各器件之间的寄生电容,避免产生耦合噪声.

H、 用光耦器来作隔离栅极驱动信号,其最小共模抑制比要在10.000V/μS,栅极回路除上述外而防止栅极电路出现高压尖峰,一般在G、E极间并一个电阻Rge,再并二只反串的稳压二极管,以使工作更可靠、安全、有效.

Rge值在1000-5000欧之间.

如何检查IGBT的极性和好坏

IGBT好坏的检测

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“ ”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。

综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏;若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

提示：正常的IGBT管，G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、c极间均有4kΩ正向电阻。

IGBT管放大能力的初略判断

在检测IGBT管的放大能力之前，应先将IGBT管三个引脚短路放电;然后将指针万用表置于Rx1k挡，用红表笔接IGBT管e极，黑表笔接管子c极，此时万用表指针不偏转，即阻值为无穷大;接着用黑表笔碰触一下G极后，再将黑表笔接管子c极，测c、e极间电阻，这时万用表指针偏转，即c、e极问电阻值由无穷大减小到某一值。上述现象说明IGBT管具有一定的放大能力，所测得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越强。

提示：由于IGBT管G极内部电路具有电容特性，能够储存一定量的电荷，因此每次检测IGBT管时，都应先短路三极，以防引起误判。

值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指针万用表Rx1k挡所测阻值均为无穷大，因此不能判断管子的放大能力。这时换用Rx10k挡检测判断即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型万用表R×10k挡，红表笔接e极，黑表笔接c极时，阻值为无穷大;若这时用手指同时接触一下黑表笔与G极，阻值立即降至110kΩ;若用黑表笔触一下G极，再次测得c、e极间正向电阻已降为16kΩ左右。

另外通过上述方法可以快速判断出特殊外形的IGBT管的c、e极，剩下一脚便为G极。

本文主要参考中国电力电子产业网 http://www.p-e-china.com技术文章，详细资料去他们那里看看吧

电磁炉igbt在电路板上e级与g级电阻多少400多算正常吗？

你最好是拆下来测，c极和e极一般都有阻容二极管，g极和c.e两极，正常时是不通无穷大的

怎样测量IGBT好坏，IGBT模块测量数据是多少

检测IGBT好坏简便方法：

1、判断极性。首先将万用表拨在R&TImes;1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。

2、判断好坏。将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

如果IGBT为好的，IGBT模块测量数据为零。

扩展资料

检测IGBT好坏时在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；而且要注意安全。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

IGBT驱动的开通电阻和关断电阻大小怎么确定

Ron和Roff

针对FF300R12KE4 你可以先试一试Ron 5欧 Roff 10欧

栅极电阻最好是多个并联，例如Ron 5欧 可以用2只10欧1W的金属膜电阻并联

装好电阻带上IGBT模块测试下栅极波形，看开通和关断时间在调整电阻阻值大小