专利名称：氧化铟锡低温沉积方法及系统专利类型：发明专利发明人：许生,王学雷,许朝阳申请号：CN201410374901.7申请日：20140731公开号：CN104120397A公开日：20141029
摘要：本发明涉及一种氧化铟锡低温沉积方法和系统，该方法包括以下步骤：将基材置于真空镀膜室内，镀膜室内具有氧化铟锡靶材，在氧化铟锡靶材周围安装冷却脱汽装置；用冷却脱汽装置对基材进行脱汽处理，去除水汽和杂质气体；控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内，在100℃温度以下和工作气体下进行镀膜，在基材上形成氧化铟锡膜。该系统包括真空镀膜室、氧化铟锡靶材、基材支撑装置、冷却脱汽装置以及磁场装置。该方法和系统在低温下进行，通过冷却脱汽装置致冷，捕捉水汽和杂质气体，净化沉积氛围，提高镀膜质量，通过提高磁场强度，得到质量高，电阻率低的氧化铟锡晶体。
申请人：深圳市豪威薄膜技术有限公司
地址：518000 广东省深圳市南山区科技园北区朗山二号路豪威大厦三楼
国籍：CN
代理机构：深圳市弘拓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：彭年才
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