专利名称：ZnO-InO纳米半导体晶体气敏材料制备方法专利类型：发明专利
发明人：曹希传,宣瑞飞,孙毅成,耿浩燃,陈辉申请号：CN201410102645.6申请日：20140319公开号：CN103901081A公开日：20140702
摘要：一种ZnO-InO纳米半导体晶体气敏材料制备方法，属于无机纳米半导体复合材料。步骤为：首先以六水硝酸锌（Zn(NO)·6HO）、4.5水硝酸铟（In(NO)·9/2HO），以及聚乙烯吡咯烷酮（Polyvinylpyrrolidone PVP）为原料，其中硝酸锌和硝酸铟分别作为锌源和铟源，PVP增加溶液的粘度，并用乙醇、N，N-二甲基甲醛(DMF)作为溶剂，通过静电纺丝方法以及后续热处理过程制备出ZnO–InO纳米复合纤维；其次，以ZnO-InO复合纳米纤维作为晶种，在锌氨溶液环境下进行水热处理，在ZnO-InO纤维表面生长氧化锌晶体得到松枝形貌ZnO-InO纳米复合材料；最后，以松枝形貌ZnO-InO纳米复合材料作为基础材料组装成气敏元件。优点：能耗低、无污染，制备使用的设备简单，反应过程条件温和，稳定性好。具有类似PN型半导体异质结结构，灵敏度高，恢复时间短。
申请人：中国矿业大学
地址：221116 江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学科研院
国籍：CN
代理机构：南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人：杨晓玲
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