一种IGBT硅外延片的制造方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200810023330.7 （22）申请日 2008.04.08

（71）申请人南京国盛电子有限公司

地址 210038 江苏省南京市经济技术开发区兴文路8号

（10）申请公布号 CN101256958B

（43）申请公布日 2010.06.02

（72）发明人谭卫东;马利行;金龙（74）专利代理机构南京知识律师事务所

代理人张苏沛

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种IGBT硅外延片的制造方法

（57）摘要

本发明公开了一种IGBT硅外延片的

制造方法，选用重掺硼的P型<100>抛光片，电阻率≤0.02Ωcm，局部平整度≤1.5mm，背封LTOSiO 法律状态

法律状态公告日

2008-09-03 2008-10-29 2010-06-02

公开

实质审查的生效授权

法律状态信息

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法律状态

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说明书

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