专利名称：半导体芯片、半导体晶圆专利类型：实用新型专利发明人：吴星星,潘盼
申请号：CN201822268841.7申请日：20181229公开号：CN209232780U公开日：20190809
摘要：本申请提供了一种半导体芯片、半导体晶圆，其中半导体芯片包括基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，基于所述种子金属层形成的背面金属层；所述半导体芯片两端各设置一定的距离不覆盖所述种子金属层。通过对半导体芯片两端的结构结构设计实现在便于芯片切割的同时，减少芯片背面的结构变形。
申请人：苏州能讯高能半导体有限公司
地址：215000 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
国籍：CN
代理机构：北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：刘曾
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