专利名称：基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方
法
专利类型：发明专利
发明人：许晟瑞,姜腾,郝跃,张进成,张春福,林志宇,陆小力,倪
洋
申请号：CN201410165612.6申请日：20140423公开号：CN103928502A公开日：20140716
摘要：本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，将m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性GaN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，方向一致的优点，可用于制作高性能极性GaN纳米器件。
申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白南路2号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容