专利名称：基于等离子体激元增强的光电化学光探测器及其制
备方法
专利类型：发明专利
发明人：孙海定,汪丹浩,刘鑫,康阳申请号：CN202011275295.5申请日：20201113公开号：CN112420398A公开日：20210226
摘要：一种光电化学光探测器，所述光电化学光探测器包括光电极，所述光电极包括导电衬底，还包括生长在所述衬底表面的氮化镓(GaN)基纳米线，所述GaN基纳米线表面修饰有一层均匀的纳米颗粒。本发明还公开了一种光电化学光探测器的制备方法。本发明的GaN基光电化学光探测器将具有表面等离子体增强效应的金属Rh(或Ag，Au，Al等金属)纳米颗粒修饰于
AlGaN，InGaN，InAlGaN，BAlGaN，BInGaN纳米线表面，提高半导体纳米线自身光生载流子产生量的同时向半导体注入热电子，最终实现光电化学光探测器光电流响应的提升。
申请人：中国科学技术大学
地址：230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：孙蕾
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