场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路

器件

专利类型：发明专利

发明人：吴昌佑,姜明吉,金范洙,尹钟植申请号：CN2013100305.X申请日：20130320公开号：CN103325833A公开日：20130925

摘要：本发明提供一种场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件。根据该场效应晶体管，源极区和漏极区被提供在衬底上以及鳍部被提供为从衬底突出。鳍部将源极区和漏极区彼此连接。栅电极图案设置在鳍部上并且延伸以交叉鳍部。栅电介质层设置在鳍部和栅电极图案之间。半导体层设置在鳍部和栅电介质层之间。半导体层和鳍部分别具有彼此不同的掺杂剂浓度。

申请人：三星电子株式会社

地址：韩国京畿道

国籍：KR

代理机构：北京市柳沈律师事务所

代理人：弋桂芬

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文