一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构[发明专利]

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专利名称：一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构专利类型：发明专利发明人：陈星佑,顾溢,张永刚申请号：CN201310005380.3申请日：20130107公开号：CN103077979A公开日：20130501

摘要：本发明涉及一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，使用该结构制备的探测器截止波长大于1.7微米小于3.5微米，在GaAs衬底上外延含铝砷化物材料作为缓冲层和下接触层，InGaAs作为吸收层，并采用含铝砷化物材料作为窗口层和上接触层。本发明的探测器结构可拓展InGaAs探测器及其阵列的应用范围，采用工艺更为成熟、质量更高的GaAs衬底，可降低器件成本、减小衬底缺陷对外延层暗电流的影响，提高量子效率，具有广泛的应用前景。

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址：200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

国籍：CN

代理机构：上海泰能知识产权代理事务所

代理人：黄志达

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