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透明导电性薄膜及其制造方法和制造用烧结体靶及其应用[发明专利]

来源：意榕旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：透明导电性薄膜及其制造方法和制造用烧结体靶及

其应用

专利类型：发明专利发明人：阿部能之

申请号：CN200510069482.7申请日：20030327公开号：CN17140A公开日：20060104

摘要：本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不需要腐蚀和研磨加工的后处理，具有低电阻，并且表面平滑性优良，在可见光领域的低波长侧透过率大。透明导电性薄膜是以氧化铟为主要成分含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子％；或者是以氧化铟为主要成分含有钨和锗的透明导电性薄膜，W/In的原子数比是0.003～0.047及Ge/In的原子数比是0.001～0.190。

申请人：住友金属矿山株式会社

地址：日本国东京都

国籍：JP

代理机构：北京三幸商标专利事务所

代理人：刘激扬

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