一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空计[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空计专利类型：发明专利

发明人：李刚,成永军,何申伟,孙雯君,习振华,裴晓强,张瑞芳,

杨利,高洁

申请号：CN202011453071.9申请日：20201211公开号：CN112763129A公开日：20210507

摘要：本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空计，采用接触式结构能够使真空计的测量曲线，即真空度‑电容曲线具有分段线性的特点，解决了感压薄膜大挠度变形非线性的问题，提升了真空计的测量性能；同时，接触式结构可以防止感压薄膜在高压力作用下受到破坏，提高真空规的测量范围。

申请人：兰州空间技术物理研究所

地址：730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号

国籍：CN

代理机构：北京理工大学专利中心

代理人：代丽

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