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一种宽带高隔离度双极化微带天线的设计

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2010年第2期 总第110期 通 信 对 抗 No.2 2010 C0MMUNICAT10N COUNTERMEASURES Sum.1l0 一种宽带高隔离度双极化微带天线的设计 周军1,2,季绣宇 ,郭玉春1,2 (1.通信系统信息控制技术国家级重点实验室,浙江嘉兴314033; 2.中国电子科技集团公司第三十六研究所,浙江嘉兴314033;3.61906,河北廊坊065001) 摘要:设计了一种宽带高隔离度的双极化微带天线,天线的两个馈电端口分别采用了H型口径 耦合和容性加载H型口径耦合,在展宽带宽的同时提高了双端口隔离度,同时利用反射板使天线获得 较高增益。HFSS仿真和实测结果表明天线双极化端口的阻抗带宽(vswp.<2)达40%,增益达到8 dB 以上,端口隔离度大于33(1B,该天线可被广泛应用于双极化天线阵系统中。 关键词:微带天线;双极化;H型口径耦合;隔离度 Design of Broadband Dual—pOla rized Microstrip Antenna with High Isolation ZHOU Jun 一.JI Xiu-yu3,GUO Yu-chun , f1.National Laboratory ofInformation Control Technologyfor Communication System,Jiaxing, Zhejiang314033,China;2.No.36Research Institute ofCETC,Jiaxing,Zhejiang 314033,China; 3.Unit 61906 of A,Langfang,Hebei 065001,China) Abstract:In this paper,the design of a broadband dual—polarized aperture—coupled microstrip antenna is presented.The H—shaped and capacitance loading aperture—coupled feed structure is used to improve the two—ports isolation and bandwidth.The simulated and measured results show that the impedance bandwidth of VSWR<2 reaches 40%.The antenna gain is more than 8 dB,and the isolation is better than 33 dB in the operating ̄equency ranges.It can be widely used in the dual—polarized antenna array. Keywords:microstrip antenna;dual—polarized;H—shaped aperture—coupled;isolation 1引言 无线通信系统的发展不断促进了天线技术的进步, 同时性能优良的天线将会大大提高通信系统的整体性 双极化天线馈电结构形式多样【l_2】,一般有微带馈 电、同轴馈电、电磁口径耦合馈电和混合馈电等四种,前 两种馈电方式端口隔离度较差;后两种馈电方式可实现 高隔离度,极化纯度较高。应用最广的是能通过双层或 能。双极化微带天线由于具有重量轻、体积小、成本低、 便于排阵等优点,能发射或接收两个正交极化的电磁 波,有利于频率复用或者收发同时工作,因此越来越受 到人们的重视。 者多层的口径耦合馈电结构来实现高隔离度双极化天 线,当前许多研究人员都采用这种馈电形式【3l。 本文设计了工作于C波段的宽带高增益双极化天 线,为提高天线工作带宽和两端口之间的隔离度,天线 收稿日期:2010-03—26 总第110期 周军,等:一种宽带高隔离度双极化微带天线的设计 ・59・ 图5测试回波损耗和隔离厦 宽H端口达到38.9%(3.99~5.92GHz),V端口达到 42.5%(3.5~5.39GHz),在3.55~5.4GHz频带内双端口 隔离度最大达到60dB,最小为33dB。从图可以看出实 测结果要优于仿真结果,但趋势基本一致,这可能由于 介电常数和结构尺寸误差引起的。 图6天线增益 p (a)H端ISl (b)V端口 图7 中心频率测试方向图 天线增益和中心频率的E面和H面方向图如图6 和图7所示。可以看出在工作频带(4.4~5GHz)内,天线 增益都大于8 dB,前后比大于17dB。方向图半功率波瓣 宽度E面和H面大约分别为69.56度和77.28度,基本 上满足设计要求。 4结束语 本文设计了工作于c波段的宽带高增益双极化天 线。为提高双极化端口之间的隔离度,设计采用H型口 径耦合馈电结构,改进H型耦合槽为电容加载H形槽, 提高了两端口隔离度。实测结果和仿真结果基本一致。 实测表明,该天线阻抗带宽约40%,天线增益达8 dB以 上,双极化端口隔离度大于33 dB,该天线可用做双极 化天线阵的天线单元。 参考文献: 【1】 梁仙灵.双极化微带天线阵与超宽带、多频段印刷天线 [D].上海:上海大学,2007. [2】钟顺时.微带天线理论与应用【M1.西安:西安电子科技 大学,1991. [3】 BMams C A.Modem Antenna Handbook【M】.NJ:John Wiley&Sons.2008. 【4】 Wong K L.Compact and Broadband Microst唧Antennas 【M】.New York:John Wiley&Sons,2002. [5] Garg R. Microstrip Antenna Design Handbook[M】. Boston:Artech House,2001. 【6] Himdi M,Daniel J P.Characteirstics of Sandwich Slot Lines in Front of Parallel Metallic Stirp U】.Electronics Letters, 1991,27(5):455-457. 作者简介: 周 军(1967一),男,高级工程师,1990年毕业于成都电 讯工程学院电磁场工程专业,主要研究方向为有源天线、天线 宽带匹配电路、射频前端等。 季绣宇(1983一),女,助理工程师,2003年毕业于 理工大学,主要研究方向为通信系统工程。 郭玉春(1974一),男,1997年本科毕业于西安电子科技大 学电磁场与微波技术专业,2005年获西安电子科技大学电磁 场与微波技术专业工学硕士学位,2009年获西安电子科技大 学无线电物理专业理学博士学位,发表学术论文60余篇,其 中SCI/EI检索20余篇。目前主要研究方向为现代天线系统 理论与工程、射频/微波电路设计、新型电磁材料研究、计算 电磁学等。 

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