1．一个容量为1K×8的存储器有 BD 个存储单元。 A.8 B.8K C.8000 D.8192
2．要构成容量为4K×8的RAM，需要 D 片容量为256×4的RAM。 A.2 B.4 C.8 D.32 3．寻址容量为16K×8的RAM需要 C 根地址线。 A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K
4．若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输
出线（即字线加位线）共有 C 条。 A.8 B.16 C.32 D.256
5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为 C 。 A.8×3 B.8K×8 C.256×8 D. 256×256 6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有 C 。 A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列 7．随机存取存储器具有 A 功能。
A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写
8．欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码
器的输出端数为 D 。
A.1 B.2 C.3 D.8
9．欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码
器的输入端数为 B 。
A.4 B.2 C.3 D.8 10．只读存储器ROM在运行时具有 A 功能。 A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写
11．只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 D 。 A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变
12．随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 C 。
A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变 13．一个容量为512×1的静态RAM具有 A 。
A.地址线9根，数据线1根 B.地址线1根，数据线9根 C.地址线512根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根 14．用若干RAM实现位扩展时，其方法是将 ACD 相应地并联在一起。
A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线 15．PROM的与陈列（地址译码器）是 B 。
A.全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列 C.非全译码可编程阵列 D.非全译码不可编程阵列
二、判断题（正确打√，错误的打×）
１． 实际中，常以字数和位数的乘积表示存储容量。（× ）√
２． RAM由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信息。（√ ）√ ３． 动态随机存取存储器需要不断地刷新，以防止电容上存储的信息丢失。（ × ）√ ４． 用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。（ √ ）× ５． 所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。（ × ）× ６． ROM和RAM中存入的信息在电源断掉后都不会丢失。（ × ）× ７． RAM中的信息，当电源断掉后又接通，则原存的信息不会改变。（ × ）× ８． 存储器字数的扩展可以利用外加译码器控制数个芯片的片选输入端来实现。（√９． PROM的或阵列（存储矩阵）是可编程阵列。（ √）
１０． ROM的每个与项（地址译码器的输出）都一定是最小项。（√ ）
三、填空题
1．存储器的 存储容量 和 存取时间 是反映系统性能的两个重要指标。
参考解答 一、选择题
1、 BD 2、D 3、C 4、C 5、C 6、C 7、A 8、 D 9、B 10、A 11、D 12、C 13、A 14、ACD 15、B
二、判断题
1.√ 2.√ 3.√ 4. × 5.× 6.× 7.× 8.√ 9.√ 10.√
三、填空题
1、 存储容量 存取时间
）
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