专利名称：半导体制作工艺、平面场效晶体管及鳍状场效晶体
管
专利类型：发明专利
发明人：黄奕泉,胡登传,王益昌,陈威志,许秀冠申请号：CN201510568434.6申请日：20150909公开号：CN106531630A公开日：20170322
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺、平面场效晶体管及鳍状场效晶体管。该鳍状场效晶体管包含有一基底以及一栅极。基底包含一主动区，其中主动区包含一鳍状结构，具有至少一延伸部突出自鳍状结构。栅极跨设鳍状结构，其中栅极直接设置于延伸部上。本发明还提供一种平面场效晶体管，包含有一基底以及一栅极。基底包含一主动区，其中主动区包含一框架区、一贯穿区穿过框架区。栅极跨设主动区，其中栅极直接设置于贯穿区上，且位于栅极至少一侧边的框架区构成一源/漏极，并环绕一孤立绝缘岛。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹市新竹科学工业园区
国籍：TW
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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