负极片及其制备方法、电池[发明专利]

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专利名称：负极片及其制备方法、电池专利类型：发明专利发明人：张艳芳,谭志,虞文韬申请号：CN202010238536.2申请日：20200330公开号：CN111525096A公开日：20200811

摘要：本发明涉及一种负极片及其制备方法、电池，该方法包括如下步骤：将含硅负极材料形成于集流体上制得基片；将基片进行预加热，并将基片在真空条件的氛围下采用真空溅射补锂；预加热的温度高于氛围温度且低于补锂的靶材的熔点，氛围的温度为30℃～130℃；在真空溅射中，基片上第一侧表面的第一第二区域相对设置，基片上第二侧表面的第三第四区域相对设置；靶材的数量为多个，且部分靶材同时对基片的第一第二区域进行镀膜，还有部分靶材同时对基片的第三第四区域进行镀膜；多个靶材包括第一、第二靶材，第一靶材选自金属锂、氧化锂、氮化锂或碳化锂中的一种，第二靶材选自硅、碳、氧化硅、碳化硅或氮化硅中的一种；第一第二靶材在基片传输方向交替间隔设置。

申请人：维达力实业(深圳)有限公司

地址：518129 广东省深圳市龙岗区坂田街道雅园路3号3楼、4楼、5楼、6楼的1、2、3、4层

国籍：CN

代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：潘艳丽

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