（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201510015033.8 （22）申请日 2015.01.09 （71）申请人 特科芯有限公司
地址 215024 江苏省苏州市工业园区港田路99号港田工业坊4号厂房3楼
（10）申请公布号 CN105895587A
（43）申请公布日 2016.08.24
（72）发明人 凡会建;李文化;彭志文 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
H01L21/98;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
DAF与低粗糙度硅片结合性来克服基板与芯片分层方法
（57）摘要
本发明公开了DAF与低粗糙度硅片结合性
来克服基板与芯片分层方法，包括晶圆芯片，胶层和基板，还包括增加层，增加层的底面覆盖新的DAF膜，其先与基板结合，其通过五个步骤来完成；上述技术方案通过晶圆假片的背面覆盖新的DAF膜先与基板结合，有效地改善分层而又不影响产品电气特性。
法律状态
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
法律状态公告日
2016-08-24 2016-08-24 2016-09-21 2016-09-21 2016-10-19 2016-10-19 2019-12-06
权利要求说明书
DAF与低粗糙度硅片结合性来克服基板与芯片分层方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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