晶圆封装失效分析项目

来源：意榕旅游网

失效分析项目

项目

参考标准

检测目的

观察样品外观，表面形状、芯片裂缝、沾污、划伤、光学显微镜检测

氧化层缺陷及金属层腐蚀等，测量尺寸及观察功能。观察焊线，装片，空洞等

X-RAY检测 *超声波扫描显微镜

JEDEC J-STD-035-1999 用来检测界面分层，塑封体的空洞、芯片裂缝等

检测

二、三极管；数字晶体管；稳压管等半导体器件的电

JUNO测试机检测

性测试

确认失效模式和失效管脚定位，识别部分失效机理，*半导体特性图示仪

GB/T 13973-2012

检测

注意。

TDR是通过测量反射波的电压幅度,从而计算出阻抗

封装级定位（TDR）检测

的变化; 同时,只要测量出反射点到发射点的时间值,就可计算出传输路径中阻抗变化点的位置。主要用来失效点定位、阻抗测量、OS测试等等。

与失效管与与同批次好品曲线有任何差异需要引起

LASER开封：用来减薄塑封体的厚度、保留管脚

封装开封检测

手工开封：用湿法开帽暴露内部芯片、内引线和压区芯片探针台检测

探针测试芯片，观察芯片的电参数或特性曲线

封装弹坑测试封装截面分析检测-离子研磨系统

去除焊线及压区金属层，观察压区情况

对样品截取适当的观察面观察焊点结合情况，分层，

void等

观察芯片表面金属引线的短路、开路、电迁移、氧化

扫描式电子显微镜JY-T 010-1996 检测

层的针孔和受腐蚀的情况，还可用来观察硅片的层错、位错及作为图形线条的尺寸测量等。 EDX确认样品表面成分。

主要用于解决芯片多层结构下层的可观察性和可测

芯片去层（RIE）检测

试性。

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