六氟化钼腐蚀试验规程

六氟化钼腐蚀试验规程

1.本工艺步骤是第一步粗抛光去掉硅片的损伤层。第二步细抛光,表面产生出部分反射率较低的织构表面。如果含有[100]晶向的晶粒，就可以长出金字塔体状的绒面。第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠，化学反应方程式为:HCl + NaOH = NaCl + HO。第七步氢氟酸络合掉硅片表面的二氧化硅层，化学反应方程式为:sio , + 6HF= H [SiF。]+ 2Ho。

2．我们就粗抛作过实验，投入50片硅片:

a.在20%NaOH 溶液中，温度为80℃，反应了10分钟，硅片厚度平均去掉了32u m。

b.在15%NaOH 溶液中，温度为80℃，反应了10分钟，硅片厚度平均去掉了25u m（此数据来源于小片实验)。

硅片粗抛是放热反应且反应激烈，反应速度与温度上升有点正反馈的态势:温度高，浓度高反应就会更激烈。新硅片由于表面粗糙，表面积大一些反应也会激烈一些。

由于每次投片量较大，125×125可投300片，103×103可 c.投400片，因而反应会很激烈，通过积累可以求出在受控条件下最佳浓度和时间。

d.硅片去掉20~25u m的厚度，硅片损伤层也就去除干净了，这也可以作为检验标准。

本反应以125×125的硅片计，每一片每次反应去掉25u m的厚度为准，每片将消耗0.9克硅，也将消耗2.6克氢氧化钠，300片硅

片将消耗780克氢氧化钠，加上溶液加热蒸气带走一部分氢氧化钠，先加上1000克氢氧化钠为宜。

f.同理，如e 那样每次生成832克硅酸钠，反应槽内的溶剂以170千克计，一旦溶液出现明显白色絮状硅酸钠，就应更换氢氧化钠溶液。

g.工序3中利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，用2%氢氧化钠溶液在多晶硅表面产生反射率较低织构表面，在[100]晶向的晶粒表面上会腐蚀出金字塔体的绒面来。多晶硅总会存在着[100]晶向的晶粒，只是多少而已。

h.溶液配比方法是采取重量百分比法，如20%氢氧化钠溶液是1000ml纯水中加200克氢氧化钠。