专利名称：薄膜形成方法及薄膜形成装置专利类型：发明专利发明人：山本和弥,伊藤勇一申请号：CN201310697905.4申请日：20131218公开号：CN103871866A公开日：20140618
摘要：本发明提供薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成方法用于在收容于反应室内的被处理体上形成薄膜，包括：第1工序，将第1原料气体和第2原料气体供给到上述反应室内；以及第2工序，停止供给上述第1原料气体，将上述第2原料气体供给到上述反应室内，使上述反应室内的压力高于上述第1工序时的压力；将上述第1工序和上述第2工序交替地重复多次。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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