专利名称：双极晶体管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：小林纯一郎
申请号：CN200510084799.8申请日：20050721公开号：CN1725505A公开日：20060125
摘要：一种具有空气桥结构的基极的双极晶体管，简化了结构，提高了基极配线(base wiringline)与基极接触位置的自由度。该双极晶体管具有一个半导体台面部，该部上表面形成基层，并有一个基极与该基层相接触，还具有一个从该半导体台面部延伸到其外侧面上空间处的浮置的延伸部。该浮置延伸部用作基极配线与基极之间的接触部。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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