专利名称：双极晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：梁奉吉,申宪宗,朴康旭申请号：CN2004100035.8申请日：20040614公开号：CN1585135A公开日：20050223
摘要：本发明公开了一种双极晶体管及其制造方法，该双极晶体管包括：具有第一导电型的集电区的衬底，在集电区上水平延伸的第二导电型的基极层，以及至少部分地包含在基极层中的第一导电型的发射区。该双极晶体管也包括面对发射区的上表面的发射极电极，以及面对基极层的上表面的基极电极。基极电极的至少一部分的垂直剖面等于或大于发射极电极的垂直剖面。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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