专利名称：耐冲击电离室用绝缘子专利类型：实用新型专利
发明人：靳根,钱仲敏,陈明焌,任智强,任伟申请号：CN2007201996.8申请日：20071105公开号：CN201117621Y公开日：20080917
摘要：本实用新型涉及一种γ辐射探测装置的部件，具体为一种耐冲击电离室用绝缘子。其结构包括用于与收集电极连接的中心螺杆，中心螺杆外设有内瓷套，内瓷套外设有GD环，GD环外设有外瓷套，外瓷套外设有H外环，在内瓷套前端与中心螺杆之间设有托环。本实用新型结构合理、抗振性好，具有在高温(最高200℃)、宽γ能量范围(400KeV－7.0MeV)、高冲击(最高10G加速度)等条件下安全运行的能力。
申请人：中国辐射防护研究院
地址：030006 山西省太原市学府街102号
国籍：CN
代理机构：北京捷诚信通专利事务所
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