（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201310343314.7 （22）申请日 2013.08.08
（71）申请人 上海新阳半导体材料股份有限公司
地址 201616 上海市松江区思贤路3600号
（10）申请公布号 CN103361694A
（43）申请公布日 2013.10.23
（72）发明人 王溯;于仙仙;马丽;李艳艳
（74）专利代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙)
代理人 贾慧琴
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法
（57）摘要
本发明公开了一种用于3D铜互连高深宽
比硅通孔技术微孔电镀填铜方法，包含步骤1：配制甲基磺酸铜体系电镀液；步骤2：通过电镀预处理对硅通孔技术的微孔进行润湿；步骤3：带电入槽，增加超小电流扩散步骤，使铜离子和添加剂在硅通孔技术的微孔表面和孔内部实现合理分布；步骤4：将硅通孔技术所在晶圆片与电源阴极连接，使晶圆电镀面完全浸泡在电镀溶液中，在阴极旋转或搅拌情况下进行分步电流法电
镀，电镀条件为电流密度0.01-10A/dm
法律状态
法律状态公告日
2013-10-23 2013-11-20 2017-03-01
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
一种用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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