（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210028545.4 （22）申请日 2010.01.27 （71）申请人 气体产品与化学公司
地址 美国宾夕法尼亚州
（10）申请公布号 CN102592994A
（43）申请公布日 2012.07.18
（72）发明人 吴定军;E·J·小卡瓦基;A·马利卡朱南;A·D·约翰逊 （74）专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司
代理人 艾尼瓦尔
（51）Int.CI
H01L21/3213; C23C16/44; C23F1/12;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
选择性蚀刻和二氟化氙的形成
（57）摘要
本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。
尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、
铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF
法律状态
法律状态公告日
2012-07-18 2012-09-19 2015-03-25
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
选择性蚀刻和二氟化氙的形成的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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