半导体发光元件和发光装置[发明专利]

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专利名称：半导体发光元件和发光装置专利类型：发明专利发明人：篠原裕直

申请号：CN201310561694.1申请日：20131112公开号：CN103811617A公开日：20140521

摘要：本发明使来自经面朝上安装而使用的半导体发光元件的光的输出增加。一种半导体发光元件（1），具有：n型半导体层（120）、发光层（130）、p型半导体层（140）；连接于p型半导体层（140）的p侧供电部（150）；和连接于n型半导体层（120）的n侧供电部（160）。p侧供电部（150）中的p侧供电电极（152）以及n侧供电部（160）中的n侧供电电极（162），从发光层（130）观察设在p型半导体层（140）的背面侧，在p型半导体层（140）与这些p侧供电电极（152）以及n侧供电电极（162）之间，形成有容易反射来自发光层（130）的光的被设定为第1厚度的供电绝缘层（170），在这些电极不存在的部位，除了形成有供电绝缘层（170）以外还形成有被设定为第2厚度的保护绝缘层（180），由此被设定成容易使来自发光层（130）的光透射的第3厚度。

申请人：丰田合成株式会社

地址：日本爱知县

国籍：JP

代理机构：北京市中咨律师事务所

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