专利名称：存储装置及其制造方法专利类型：发明专利发明人：石忠勤
申请号：CN200310118087.4申请日：20031124公开号：CN1622332A公开日：20050601
摘要：本发明提供存储装置及其制造方法，所述存储装置的制造方法是首先在衬底的有源区上形成多对浮置栅与多对选择栅，其中各对浮置栅位于各对浮置栅之间。然后，在浮置栅与选择栅上形成介电层，再于衬底上同时形成横跨该些有源区与该些隔离结构且分别位于浮置栅上方与选择栅上方的控制栅以及源极线。其后，在控制栅与源极线两侧的衬底中形成源极/漏极区，再于衬底上覆盖一层厚介电层，并于厚介电层中形成源极线接触窗，以与各对源极线之间的源极/漏极区连接并至少与各对源极线其中之一连接。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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