专利名称：用于形成存储器结构的技术专利类型：发明专利
发明人：A·戈蒂,P·R·K·埃尔拉,D·W·柯林斯申请号：CN202010493027.4申请日：20200603公开号：CN112151544A公开日：20201229
摘要：本申请案涉及用于形成存储器结构的技术。形成存储器结构可包含蚀刻包含导电线、第一电极及牺牲材料的材料堆叠以将所述材料堆叠划分成多个区段。过程可进一步包含将氧化物材料沉积于第一数量的通道中的每一者中以形成多种氧化物材料。所述牺牲材料可经蚀刻以在所述多种氧化物材料中的两种氧化物材料之间形成第二通道。存储器材料可经沉积于所述两种氧化物材料及所述第二通道之上，这可在所述第二通道中在所述存储器材料与所述第一电极之间产生空隙。所述存储器材料可经加热以填充所述第二通道中的所述空隙。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王龙
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