专利名称：三维Cu(II)配位聚合物及其制备方法及利用其制备
的一维Cu(I)配位聚合物及方法
专利类型：发明专利
发明人：范瑞清,宋阳,刘志威,谭才图,王学涛,杨玉林申请号：CN201510955222.3申请日：20151216公开号：CN105542187A公开日：20160504
摘要：三维Cu(II)配位聚合物及其制备方法及利用其制备的一维Cu(I)配位聚合物及方法，它涉及一种制备Cu(II)配位聚合物及其制备方法及利用其制备的Cu(I)配位聚合物及方法。本发明的目的是要解决现有制备Cu(I)配位聚合物合成方法繁琐，黄色荧光材料的原料成本高。一种三维Cu(II)配位聚合物的分子式为[Cu(CHNO)·HO]；方法：使用将4,4’-联吡啶、3-(2’,3’-二羧基苯氧基)苯甲酸配体和碘化亚铜制备。一维Cu(I)配位聚合物的分子式为[Cu(CHNO)]；方法：使用三维Cu(II)配位聚合物制备。本发明可获得一种三维Cu(II)配位聚合物。
申请人：哈尔滨工业大学
地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
国籍：CN
代理机构：哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人：牟永林
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