专利名称：用于N型掩埋层集成的穿过屏蔽层的高剂量锑注入专利类型：发明专利
发明人：B·胡,A·H·卡哈兹-斯耶德,S·阿尔莎德申请号：CN201810382043.9申请日：20180426公开号：CN108807272A公开日：20181113
摘要：本申请公开了用于N型掩埋层集成的穿过屏蔽层的高剂量锑注入。通过在衬底(104)的顶表面(106)上形成薄屏蔽层(108)来形成具有n型掩埋层(NBL)的微电子器件(100)。锑(114)穿过由注入掩模(110)暴露的屏蔽层(108)被注入到衬底(104)中；注入掩模(110)阻挡锑(114)到NBL区域(112)外侧的衬底(104)。注入掩模(110)被移除，留下屏蔽层(108)在表面(106)上，该屏蔽层在NBL区域(112)上方以及在NBL外侧的区域上方具有相同的厚度。在退火/驱动工艺期间，在NBL区域(112)中以及在NBL区域外侧都形成二氧化硅。在NBL区域(112)中形成稍微多一些的二氧化硅，在该区域中消耗更多的硅并因此形成浅的硅凹槽。在衬底(104)的顶表面(106)上生长外延层。还公开了微电子器件(100)的结构。
申请人：德克萨斯仪器股份有限公司
地址：美国德克萨斯州
国籍：US
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
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