专利名称：半导体集成电路器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：甲藤久郎,奥山幸祐申请号：CN86100841申请日：19860131公开号：CN86100841A公开日：19860730
摘要：一半导体集成电路器件，在其内部电路的MOSFET的源和漏区是轻掺杂的漏结构，这是为了压制热载流子的出现。而在输入/输出电路中的MOSFET的源和漏区是具有高杂质浓度的掺磷结构，这是为了提高静电击穿电压的。
申请人：株式会社日立制作所
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人：赵越
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