专利名称：锗光电二极管专利类型：发明专利
发明人：C·鲍多特,N·维利耶,S·克勒梅,D·佩利谢尔-塔农申请号：CN201910169561.7申请日：20190306公开号：CN110246916A公开日：20190917
摘要：本公开的各种实施例涉及锗光电二极管。光电二极管包括由本征锗形成的有源区域。有源区域位于在硅层中形成的腔内。腔由相对的侧壁限定，侧壁相对于与硅层的底表面垂直的方向成角度。成角度的侧壁支持具有最小晶格缺陷的本征锗的外延生长。
申请人：意法半导体(克洛尔2)公司
地址：法国克洛尔
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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