专利名称：一种高效释放电路结构专利类型：实用新型专利发明人：郑方耀
申请号：CN201320394625.1申请日：20130704公开号：CN203313051U公开日：20131127
摘要：一种高效释放电路结构，其特征在于：包括一NPN型三极管和一N型MOS场效应管，N型MOS场效应管的漏极通过第四电阻后分出两路，其中一路通过第三电容接地，N型MOS场效应管的源极接地，N型MOS场效应管的栅极与NPN型三极管的集电极连接，NPN型三极管的发射极接地，NPN型三极管的基极分出两路，一路通过第一电阻接地，另一路通过第二电阻分出两路，一路与电源连接，另一路通过第二二极管后分出两路，一路通过第二电容接地，另一路通过第三电阻与NPN型三极管的集电极连接，所述第二二极管由电源向第三电阻方向导通。本实用新型在打开电源后不接通第四电阻，而关闭电源后自动接通第四电阻释放第三电容的电荷，提高了开机状态下的效率，节约了能源。
申请人：苏州工业园区华波电子科技有限公司
地址：215000 江苏省苏州市工业园区312国道86公里处苏州低压电器集团厂区4楼
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：马明渡
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