用于半导体器件的传感器[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：用于半导体器件的传感器专利类型：发明专利

发明人：A.科普罗夫斯基,M.普拉佩尔特,A.里格勒,F.沃尔特申请号：CN201610138257.2申请日：20160311公开号：CN105977176A公开日：20160928

摘要：本发明涉及用于半导体器件的传感器。呈现了一种半导体布置，包括：半导体本体，半导体本体包括半导体漂移区，其中半导体漂移区具有第一导电类型的掺杂剂；第一半导体感测区以及第二半导体感测区，其中第一半导体感测区以及第二半导体感测区中的每一个电连接至半导体漂移区并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；包括第一金属材料的第一金属接触，第一金属接触与第一半导体感测区接触，其中第一金属接触与第一半导体感测区之间的转变形成第一金属至半导体转变；包括不同于第一金属材料的第二金属材料的第二金属接触，第二金属接触与第一金属接触分开并且与第二半导体感测区接触。

申请人：英飞凌科技股份有限公司

地址：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号

国籍：DE

代理机构：中国专利代理()有限公司

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