第３２卷第４期 ２０１５年１１月 广东工业大学学报 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏ１．３２ Ｎｏ．４ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ ２０１５ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００７—７１６２．２０１５．０４．００４ 不同退火气氛下Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６薄膜的 铁电性能和漏电流研究 邓敏霖，刘秋香，李万朋 （广东工业大学物理与光电工程学院，广东广州５１０００６） 摘要：采用化学溶液法以ＬａＮｉＯ 为底电极在ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｂｉ：ＮｉＭｎＯ 薄膜，分别在Ｎ 和０ 下对薄膜进 行退火，退火温度均为６００ ｏＣ，研究不同退火气氛对薄膜结构与电性能的影响．用ＸＲＤ测量分析了Ｂｉ，ＮｉＭｎＯ 薄膜 的结构，用铁电性能测量仪表征了样品的铁电性能和漏电流特性．结果表明，在Ｎ：或Ｏ：气氛下，Ｂｉ：ＮｉＭｎＯ 薄膜均 能成相，所有样品在室温下均表现出铁电性能，同时，这些样品都呈现 相当低的漏电流密度．此外，还讨论了 Ｂｉ ＮｉＭｎＯ 薄膜的导电机制． 关键词：双钙钛矿；薄膜；Ｂｉ，ＮｉＭｎＯ ；电性能；溶胶一凝胶 中图分类号：０４７２ 文献标志码：Ａ 文章编号：１００７—７１６２（２０１５）０４—００２１—０４ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｏｎ ｔｈｅ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｎｄ Ｌｅａｋａｇｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｂｅｈａｖｉｏｒ ｏｆ Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｄｅｎｇ Ｍｉｎ—ｌｉｎ，Ｌｉｕ Ｑｉｕ—ｘｉａｎｇ，Ｌｉ Ｗａｎ—ｐｅｎｇ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｇｕａｎ￣ｏｕ ５１０００６，（３ｄｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６（ａｂｂｒｅｖｉａｔｅｄ ａｓ ＢＮＭＯ）ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｇｒｏｗ ｏｎ ＬａＮｉＯ３ ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｓｉ（１００）ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｉｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄ ｂｙ Ｘ—ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃ— ｔｉｏｎ，ａｎｄ ｂｏｔｈ ｔｈｅ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｂｅｈａｖｉｏｒ ａｒｅ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｂｙ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｔｅｓｔ— ｅｒ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｕｇｇｅｓｔ ｔｈａｔ ｔｈｅｙ ｈａｖｅ ｂｅｃｏｍｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｐｈａｓｅｓ ｉｎ ｔｈｅ ｔｗｏ ｓａｍｐｌｅｓ ａｎｎｅａｌｅｄ ｉｎ Ｎ２ ａｎｄ Ｏ２ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｐｐｅａｒ ｉｎ ａｌｌ ｓａｍｐｌｅｓ ｕｎｄｅｒ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒ— ａｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ＢＮＭＯ ｓａｍｐｌｅ ｓｈｏｗｓ ａ ｆａｉｒｌｙ ｌｏｗ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｔｈｅ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｉｓ ａｌｓｏ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｐａｐｅｒ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｄｏｕｂｌｅ ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ；ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ；Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６；ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ；ｓｏｌ—ｇｅｌ 从２０世纪５０年代起，人们对钙钛矿（ＡＢＯ ）型 氧化物的结构特征、电磁性能等方面开始了初步的 阻效应的材料之一而备受关注＿２ Ｊ．随着器件的微型 化以及多功能化，含有两种或两种以上铁序（铁电、 铁磁或铁弹）的多铁性材料也日益受到重视＿３ ．到 目前为止，理论计算表明，Ｂｉ：ＦｅＣｒＯ 、Ｂｉ ＮｉＭｎＯ 等 探索和研究，而到了１９９３年，在钙钛矿化合物 Ｌａ Ｃａ ＭｎＯ 系列中发现了特大磁电阻效应 （ＣＭＲ）促使这类材料得到人们的广泛关注和深人 研究，而双钙钛矿氧化物作为与钙钛矿氧化物紧密 相连的材料也得到了广大研究学者的青睐¨ ．１９９８ 年，Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｋ Ｌ等人在室温下研究双钙钛矿型化 合物Ｓｒ ＦｅＭｏＯ 中发现磁电阻现象，这一发现令双 钙钛矿型氧化物被视为在室温下即有可能产生磁电 收稿日期：２０１４．１１—１３ 双钙钛矿化合物可能同时具有铁电性和铁磁性 ． Ａｚｕｍａ在６ＧＰａ的高压下合成了Ｂｉ ＮｉＭｎＯ 化合 物 Ｊ．然而，类似Ｂｉ ＦｅＭｎＯ 双钙钛矿化合物的报 道还是不多，主要原因在于这些双钙钛矿化合物在 常温下属亚稳态，其合成通常需要非常高的温度和 压力［９－１０］． 基金项目：国家自然科学基金资助项目（１０７７４０３０，１１０３２０１０）；广东省高教基金资助项目（２０１２ＫＪＣＸ００４４） 作者简介：邓敏霖（１９８９一），女，硕士研究生，主要研究方向为多铁材料及器件物理． 通讯作者：刘秋香（１９７０一），女，教授，博士，硕士生导师，主要研究方向为功能材料与器件物理，Ｅ—ｍａｉｌ：ｌｉｕｑｘ＠ｇｄｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ ２４ Ｅ ／（ｋＶ．ｃｍ。 １ 广东丁业大学学报 第３２卷 ０，气氛下退火其ＸＲＤ衍射峰要比Ｎ，气氛下退火 的衍射峰强很多，实验表明Ｏ 气氛下退火更有利于 ＢＮＭＯ薄膜的成相．漏电流密度测试与分析结果表 明，同样偏压下Ｏ 气氛下退火的薄膜比Ｎ 气氛下 退火的薄膜漏电流密度要低２个数量级，说明Ｏ，气 氛退火比Ｎ，气氛有利于改善ＢＮＭＯ薄膜的漏电流 基 ● 《 特性．Ｎ 气氛下薄膜的饱和极化值以及剩余极化值 要比同样测量条件下的Ｏ 退火的薄膜的高，可能是 由于Ｎ，气氛下退火的薄膜漏电流比较大所导致的． ∞ 旦 ｏｇ（Ｅ／（ｋＶ・ｃｍ ）） （ａ）Ｎ 气氛 。量 ？ Ｓ 。Ｄ 旦 ｌｏｇ ／（ｋＶ・ｃｍ‘。）） （ｂ）Ｏ：气氛 图４ ６００℃退火的ＢＮＭＯ薄膜的漏电流机理分析 Ｆｉｇ．４ Ｔｈｅ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆｔｈｅ ＢＮｎＯ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ａｔ ６００ ℃ 图４（ｂ）是０，气氛下６００℃退火的ＢＮＭＯ薄膜 的漏电流分析图．可以看到，在底电极ＬＮＯ薄膜上 加上正向偏压时，ｌｏｇ Ｊ～ｌｏｇ Ｅ在低电场时直线斜率 为１．２，表明低电场时漏电流机制为欧姆机制，在 Ａｕ／ＢＮＭＯ界面形成欧姆接触．在底电极ＬＮＯ薄膜 上加上反向偏压时，在低电场（＜６００ ｋＶ／ｃｍ），直线 斜率为１．０，表明低电场下界面也属欧姆接触；高电 场时（＞６００ ｋＶ／ｃｍ），直线斜率为６．ｏ，说明薄膜漏 电流主要来自空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）的作 用 ． ３ 结论 本文利用化学溶液法在Ｓｉ（１００）衬底上先生成 一层ＬＮＯ作为缓冲层兼底电极，再生长一层ＢＮＭＯ 薄膜，研究了分别在不同气氛下退火后薄膜的结构 及电性能．结果表明，同样在６００℃下退火的薄膜， 参考文献： ［１］韩红梅，都有为，钟伟，等．磁性双钙钛矿材的研究进展 ［Ｊ］．功能材料，２００１，３２（６）：５６８—５７１． Ｈａｎ Ｈ Ｍ，Ｄｏｕ Ｙ Ｗ，Ｚｈｏｎｇ Ｗ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｆ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｏｕｂｌｅ ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌ，２００１，３２（６）：５６８—５７１． ［２］Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｋ Ｌ，Ｋｉｍｕｒａ Ｔ，Ｓａｗａｄａ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｒｏｏｍ—ｔｅｍｐｅｒａ— ｔｕｒｅ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｉｎ ａｎ ｏｘｉｄｅ ｍａｔｅｒｉａｌ ｗｉｔｈ ａｎ ｏｒｄｅｒｅｄ ｄｏｕｂｌｅ—ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］． Ｎａｔｕｒｅ， １９９８，３９５ （６７０３）：６６７—６８０． ［３］Ｗａｎｇ Ｊ，Ｎｅａｔｏｎ Ｊ Ｂ，Ｚｈｅｎｇ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ＢｉＦｅＯ３ｍｕｌ— ｔｉｆｅｒｒｏｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００３，２９９ （５６１３）：１７１９—１７２２． ［４］Ｓｐａｌｄｉｎ Ｎ Ａ，Ｃｈｅｏｎｇ Ｓ Ｗ，Ｒａｍｅｓｈ Ｒ．Ｍｕｌｔｉｆｅｒｒｏｉｃｓ：Ｐａｓｔ， ｐｒｅｓｅｎｔ，ａｎｄ ｆｕｔｕｒｅ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｔｏｄａｙ，２０１０，６３（１０）：３８— ４３． ［５］Ｂｉ Ｌ，Ｔａｕｓｓｉｇ Ａ Ｒ，Ｋｉｍ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｓｔｕｒｃｔｕｒａｌ，ｍａｇｎｅｔｉｃ，ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＢｉＦｅＯ３ ａｎｄ Ｂｉ２ ＦｅＭｎＯ６ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍｓ：Ａｎ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ａｎｄ ｆｉｒｓｔ—ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｓｔｕｄｙ［Ｊ］． Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，２００８，７８（１０）：４１０６． ［６］Ｂａｅｔｔｉｇ Ｐ，Ｅｄｅｒｅｒ Ｃ，Ｓｐａｌｄｉｎ Ｎ Ａ．Ｆｉｒｓｔ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｔｈｅ ｍｕｌｔｉｆｅｒｒｏｉｃｓ ＢｉＦｅＯ３，Ｂｉ２ ＦｅＣｒＯ６，ａｎｄ ＢｉＣｒＯ３：Ｓｔｕｒｃ— ｔｕｒｅ，ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ，ａｎｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｏｒｄｅｒｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ［Ｊ］． Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，２００５，７２（２１）：２１４１０５． ［７］Ｒｅａｎｅｙ Ｉ Ｍ，Ｐｅｔｚｅｈ Ｊ，Ｖｏｉｔｓｅｋｈｏｖｓｋｉｉ Ｖ Ｖ，ｅｔ ａ１．Ｂ—ｓｉｔｅ ｏｒ— ｄｅｒ ａｎｄ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒｅｌｆｅｅｔｉｖｉｔｙ ｉｎ Ａ（Ｂ’Ｂ”）０３ ｃｏｍｐｌｅｘ ｐｅｒ— ｏｖｓｋｉｔｅ ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９９４，７６ （４）：２０８９—２０９２． ［８］Ａｚｕｍａ Ｍ，Ｔａｋａｔａ Ｋ，Ｓａｉｔｏ Ｔ，ｅｔ １ａ．Ｄｅｓｉｇｎｅｄ ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔ— ｉｃ，ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｅ Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００５，１２７（２４）：８８８９—８８９２． ［９］Ｄｕ Ｙ，Ｃｈｅｎｇ Ｚ Ｘ，Ｗａｎｇ Ｘ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｍａｇｎｅｔｉｃ ａｎｄ ｆｅｒｒｏｅ— ｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｍｕｌｔｉｆｅｒｒｏｉｃ Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６ ｎａｎｏｐａｒｔｉｅｌｅｓ ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２０１ ｌ，１０９（７）：０７Ｂ５０７． ［１０］Ｓｈｉｍａｋａｗａ Ｙ，Ｋａｎ Ｄ，Ｋａｗａｉ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｄｉｒｅｃｔ ｏｂｓｅｒｖａｔｉｏｎ ｏｆ Ｂ—ｓｉｔｅ ｏｒｄｅｒｉｎｇ ｉｎ ｍｕｈｉｆｅｒｒｏｉｃ Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍ［Ｊ］． Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００７，４６（３５）： Ｌ８４５一Ｌ８４７． （下转第２９页） 第４期 ０ ７ｌ６００３一 ７． 李定昌，等：高倍聚光下三结砷化镓电池输出特性实验研究 ２９ Ｗｕ Ｄ，Ｌｉａｏ Ｇ Ｌ，Ｄｅｎｇ Ｘ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｏｆ ｓｕｒｆａｃｅ ｌａｙｅｒ ｕｎｄｅｒ ｈａｚｅ ｗｅａｔｈｅｒ ｏｖｅｒ ｔｈｅ Ｐｅａｒｌ Ｒｉｖｅｒ ｄｅｌｔａ Ｗａｎｇ Ｗ Ｂ，Ｌｉ Ｍ，Ｊｉ Ｘ，ｅｔ ａ１．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｏｕｔｐｕｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＧａＡｓ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｆｒｅｓｎｅｌ ｃｏｎｃｅｎ— ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍｅｔｅｏｒｏｌｏｇｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００８，１９ （１）：ｌ－９． ｔｒａｔｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ［Ｊ］．Ａｃｔａ Ｏｐｔｉｃ Ｓｉｎｉｃａ，２０１２，３２（７）： ０７１６００３—１－０７１６００３．７． ［１３］姚叙红，朱林泉，薛忠晋，等．菲涅尔透镜提高太阳能 ［９］Ｒｙｕ Ｋ，Ｒｈｅｅ Ｊ Ｇ，Ｐａｒｋ Ｋ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｃｏｎｃｅｐｔ ａｎｄ ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｍｏｄｕｌａｒ Ｆｒｅｓｎｅｌ ｌｅｎｓｅｓ ｆｏｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ＰＶ ｓｙｓｔｅｍ 利用率的研究［Ｊ］．红外，２００９，３０（３）：３０—３４． Ｙａｏ Ｘ Ｈ，Ｚｈｕ Ｌ Ｑ，Ｘｕｅ Ｚ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ Ｆｒｅｓｎｅｌ ［Ｊ］．Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ，２００６，８０（１２）：１５８０—１５８７． ［１０］李世民，喜文华．光伏组件热斑对发电性能的影响 ［Ｊ］．发电设备，２０１３，２７（１）：６１—６３． Ｌｉ Ｓ Ｍ．Ｘｉ Ｗ Ｈ．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｈｏｔ ｓｐｏｔ ｏｎ ｐｏｗｅｒ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌｅｎｓ ｆｏｒ ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ｕｔｉｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｏｌａｒ ｅｎｅｒｇｙ［Ｊ］．Ｉｎｆｒａｒｅｄ， ２００９，３０（３）：３０—３４． ［１４］杨亚丽，陈国鹰，郭丽斌，等．三结ＧａＡｓ太阳电池的Ｉ— Ｖ特性研究［Ｊ］．半导体技术，２０１０，３５（５）：４２３－４２６． Ｙａｎｇ Ｙ Ｌ，Ｃｈｅｎ Ｇ Ｙ，Ｇｕｏ Ｌ Ｂ，ｅｔ ａ１．Ｉ－Ｖ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃ ｍｏｄｕｌｅ［Ｊ］．Ｐｏｗｅｒ Ｅｑｕｉｐ— ｍｅｎｔ，２０１３，２７（１）：６１—６３． ｔｒｉｐｌｅ—ｊｕｎｃｔｉｏｎ ＧａＡｓ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ［Ｊ］．Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈ— ｎｏｌｏｇｙ，２０１０，３５（５）：４２３４２６． ［１１］茹占强，安志勇，宋贺伦，等．应用于聚光光伏模组的 全反射式二次聚光器的设计和性能分析［Ｊ］．红外与激 光工程，２０１１，４０（２）：２６２—２６６． ［１５］王子龙，张华，赵巍，等．高聚光条件下砷化镓光伏电 池特性的实验研究［Ｊ］．太阳能学报，２０１３，３４（１）：３９— ４４． Ｗａｎｇ Ｚ Ｌ，Ｚｈａｎｇ Ｈ，Ｚｈａｏ Ｗ，ｅｔ ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｒｕ Ｚ Ｑ，Ａｎ Ｚ Ｙ，Ｓｏｎｇ Ｈ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｏｔａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ－－ｔｙｐｅ ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｏｐｔｉｃｓ ｉｎ ｃｏｎｃｅｎ・－ ｔｒａｔｅｄ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｍｏｄｕｌｅ［Ｊ］．Ｉｎｆｒａｒｅｄ ａｎｄ Ｌａｓｅｒ Ｅｎｇｉ— ｎｅｅｒｉｎｇ，２０１１，４０（２）：２６２—２６６． ｔｈｅ ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅ ｔｉｒｐｌｅ—ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｕｎｄｅｒ ｈｉｇｈ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃ ｓｙｓｔｅｍ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｆｉｅｌｄ－・ｔｅｓｔ ｅｘ・－ ［１２］吴兑，廖国莲，邓雪娇，等．珠江三角洲霾天气的近地层 输送条件研究［Ｊ］．应用气象学报，２００８，１９（１）：１－９． ｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ［Ｊ］．Ａｃｔａ Ｅｎｅｒｇｉａｅ Ｓｏｌａｒｉｓ Ｓｉｎｉｃａ，２０１３，３４ （１）：３９４４． （上接第２４页） ［１１］蒋力立，唐新桂，唐振方．退火温度对锆酸铅薄膜光学 性能的影响［Ｊ］．广东工业大学学报，２００５，２２（１）：７— ９． （６）：９４—９７． ［１５］Ｓａ ｎｃｈｅｚ Ｒ Ｄ，Ｃａｕｓａ Ｍ Ｔ，Ｃａｎｅｉｒｏ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｍｅｔａｌ—ｉｎｓｕｌａ— ｔｏｒ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｉｎ ｏｘｙｇｅｎ—ｄｅｉｆｃｉｅｎｔ ＬａＮｉＯ３ ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅｓ［Ｊ］． Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，１９９７，５４（２３）：１６５７４—１６５７８． Ｊｉａｎｇ Ｌ Ｌ，Ｔａｎｇ Ｘ Ｇ，Ｔａｎｇ Ｚ Ｆ．Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｔｅｍ— ｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｎ ｔｈｅ ｏｐｔｉｅａｌｐｒｏｐｅｔｒｉｅｓ ｏｆ ＰｂＺｒ０３ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ［Ｊ］． Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００５，２２ ［１６］Ｌａｉ Ｊ Ｌ，Ｔａｎｇ Ｘ Ｇ，Ｍａ Ｃ Ｂ，ｅｔ ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ＳｒＴｉＯ３ ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ ｏｎ ｔｈｅ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｂｉ２ ＮｉＭｎＯ６ （１）：７－９． ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ［Ｊ］．Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｅｓ，２０１２，１３９（１）： ２６—３１． ［１２］Ｓｈｅｎ Ｌ Ｍ，Ｔａｎｇ Ｘ Ｇ，Ｌｉｕ Ｑ ｘ，ｅｔ ａ１．Ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｃｓ ｏｆ Ｂｉ２ＦｅＭｎ０６／Ｓ订 ０３ ｂｉｌａｙｅｒｅｄ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｂｙ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏｌｕ— ［１７］李万朋，刘秋香．ＳｒＢｉ Ｔａ Ｏ ／ＬａＮｉＯ 异质结薄膜的铁 电、磁性能及漏电流研究［Ｊ］．广东工业大学学报， ２０１４，３１（２）：１１７—１２０． ｔｉｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｔａｔｕｓ Ｓｏｌｉｄｉ Ａ，２０１４，２１ １ （７）：１４９９—１５０２． ¨Ｗ Ｐ，Ｌｉｕ Ｑ Ｘ．Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ，Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ｌｅａｋａｇｅ Ｃｕｒｒｅｎｔｓ ｏｆ ＳｒＢｉ２ Ｔａ２ Ｏ９／ＬａＮｉＯ３ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｎｃｔｕｒｅ ｒ［１３］彭焕英，殷明志，杨亮亮，等．湿化学Ｔ艺导电性 ＬａＮｉＯ 薄膜的制备表征及应用［Ｊ］．化学研究与应用， ２０１１，２３（４）：４０１－４０７． Ｐｅｎｇ Ｈ Ｙ，Ｙｉｎ Ｚ Ｍ，Ｙａｎｇ Ｌ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，ｃｈａｒ— Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈ— ｎｏｌｏｇｙ，２０１４，３１（２）：１１７—１２０． ［１８］赖菊兰．双钙钛矿Ｂｉ：ＮｉＭｎＯ 多铁薄膜的制备与性能 研究［Ｄ］．广州：广东丁业大学物理与光电工程学院， ２０１３． ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ＬａＮｉＯ ｆｉｌｍｓ ｗｉｔｈ ｓｏｌ—ｃｈｅｍｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，２０１１，２３（４）：４０１－４０７． ［１９］Ｍａ Ｃ Ｂ．Ｒｅｄｕｃｅｄ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ａｎｄ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ（Ｂｉ，Ｎｄ）ＦｅＯ３ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｇｒｏｗｎ ｏｎ（Ｂａ，ｓｒ） ［１４］汪静，姚熹．Ｓｏｌ—Ｇｅｌ法在不同衬底上制备的ＬａＮｉＯ 导 电薄膜的性能研究［Ｊ］．山东科技大学学报，２０１０，２９ （６）：９４＿９７． Ｗａｎｇ Ｊ．Ｙａｏ Ｘ．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ＬａＮｉＯ３ ＴｉＯ３ ｂｏｔｔｏｍ ｌａｙｅｒ［Ｊ］．Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２０１２，０５（０３）：４． ［２０］Ｓｃｏｔｔ Ｊ ｓ．铁电存储器［Ｍ］．朱劲松，吕笑梅，朱曼，译． 北京：清华大学出版社，２００４． ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｏｎ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｂｙ Ｓｏｌ—Ｇｅｌ『Ｊ］．Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｓｈａｎｇｄｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１０，２９
