专利名称：一种用于非制冷红外探测器参考像元及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：杨水长,甘先锋,王宏臣,陈文礼申请号：CN201610496899.X申请日：20160629公开号：CN106098846A公开日：20161109
摘要：本发明涉及一种非制冷红外探测器参考像元及其制造方法。在ASIC电路上设置的金属反射层，以及在所述金属反射层上依次为绝缘介质层、牺牲层、支撑层、热敏薄膜、介质保护层、电极金属层、金属填充图形、遮光层、保护结构和钝化层介质；所述牺牲层上设有桥墩孔；所述桥墩孔内设有通孔；所述介质保护层中设有接触孔。本发明完成了参考像元的特殊结构，同时因参考像元大面积的被覆盖了一层金属层，提高了参考像元阵列的热导，极大的消除了芯片环境的热辐射干扰因素，提高非制冷红外探测器的器件性能。
申请人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
地址：264006 山东省烟台市经济技术开发区贵阳大街11号
国籍：CN
代理机构：北京轻创知识产权代理有限公司
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