一种发光二极管芯片及其制造方法[发明专利]

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专利名称：一种发光二极管芯片及其制造方法专利类型：发明专利发明人：陈诚,郝茂盛,李士涛申请号：CN201010117868.1申请日：20100304公开号：CN1017478A公开日：20100728

摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，该芯片包括：N型半导体层、位于所述N型半导体层上的有源层、以及位于所述有源层上的P型半导体层；在制作所述发光二极管芯片时，从所述P型半导体层向下刻蚀，形成侧壁并露出所述N型半导体层，在所述N型半导体层上设有N电极，在所述P型半导体层上设有透明导电层，在所述透明导电层上设有P电极；在所述侧壁上、所述N电极周围以及P电极下方设有绝缘膜；所述P电极下方的绝缘膜位于所述透明导电层与P型半导体层之间。本发明的技术方案可有效解决芯片漏电、电极脱落等问题。

申请人：上海蓝光科技有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所

代理人：李仪萍

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