专利名称：半导体装置及形成半导体装置的方法专利类型：发明专利
发明人：张简旭珂,余人皓,郑志成申请号：CN201710119801.3申请日：20170302公开号：CN108206211A公开日：20180626
摘要：一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构是结合氟，且包含设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含钛铝(TiAl)合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。半导体装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构是结合氟，且包含设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛(TiN)，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
国籍：TW
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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