半导体装置及其制造方法[发明专利]

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专利名称：半导体装置及其制造方法专利类型：发明专利发明人：柏原庆一朗

申请号：CN201310319981.1申请日：20130726公开号：CN103579269A公开日：20140212

摘要：本发明公开了半导体装置及其制造方法。提供了可抑制由处理中的化学品导致的腐蚀、同时防止在标记上产生热应力的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：具有正面主表面和与正面主表面相反的背面主表面的半导体层；在半导体层中形成的用于执行光电转换的多个受光元件；设置在背面主表面之上的用于向受光元件供给光的受光透镜；和在半导体层内形成的标记。标记从正面主表面延伸到背面主表面。标记具有向着正面主表面而不是向着背面主表面凹陷的深部表面。深部表面由硅形成。

申请人：瑞萨电子株式会社

地址：日本神奈川

国籍：JP

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：康建忠

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