等离子体增强原子层沉积生长过渡金属薄膜扩散势垒特性。一一〔刊英〕!叩一一等离子体沉积硅化错合金薄膜的射线光电频谱学和电子频谱特征非线性组分相关性一叩一。〔刊英〕户,二,一一0603466聚苯乙烯磺酸钠邓可利新蓝分子沉积膜的表征及组装动力学〔刊中〕/高芒来刀石油大学学报(自然科学版)一200529(511)一111一6E0603467低温热致变色V姚薄膜光电子激光2005的制备及应用〔刊中〕/沈楠/1611227一0E(0123)()提出了一种制备低温热致一一变色vOZ新型薄膜材料的工艺方法。在玻璃基底的153N4薄膜上溅射沉积vox薄膜再经还原性气氛退火最终得到了nm量级的v姚颗粒。四探针测试电阻温度关系表明该类材料相变温度已经靠近室温。不同温度下测试的红外透过曲线表明该材料在相变前后有良好的红外开关特性能够在智能窗等各类光电产品中获得应用。参10640368退_火对常压MOCV工)法生长的高结晶性能Zl飞O薄膜发光特性的影响〔刊中〕/陈玉凤/发光学报一200526(5)一611一16E60604693OCVM生长的InGaN合金的发光特性〔刊中〕/竹有章//发光学报一20052656E()一602一60()、、0941掺杂扩散离子注入工艺0603470氧与水等离子体注入分离绝缘体上硅埋氧层厚度增加“Inereasedrhieknessofburiedoxidelyaerofsilleononiulaornstinseparationbyimplantationofoxygenwithwaterplasam〔刊英〕/JingChenenenengMChYmona了19anournaoueeDgneeXWg//JlfVaeumSi&noTcehl叩yB一2002204()一1570(E)0603471射频感应祸合等离子体直接电流等离子体浸没离子注入中采用栅偏压增强注入效率=Enhnacemnetfoim-plantationefieeneybygridbiasinginradio一-明ueneyinduerivelyeoupledplasmadireet一mmm,〔刊英〕一一超声处理对离子注入非晶化和结形成的影响己加姗壬ationinsliieon〔刊英.!#%&!orm〕/DKrugeroanuournaoaeuuBRmykJfVmeeneeeenooS&ThgyB一2002204()一1448(E)0634307硅里浅BFZ注人三晶、X射线驻波和传输电子显微术探讨=Triplecr体衍射邓t沮difraetometryx一rays洲d-ingwave-anranssoneeneroseonvadmdormpysegon。SaofhllwB尺Implantationin51〔刊英〕/e.BooehienouoaeuueeneeFGii//JnrlafVmSi&mreenooThlgyB一2002204()一1436(E)氮离子注入法合成CNx0603474膜的化学键表征〔刊中〕/曹培江刀真空科学与技术学报一2005552()一328一33。354L()、、0916制版光刻腐蚀与掩模工艺0603月75采用毛细管电介质的刻胶蚀刻中=Charae介er电阻挡层放电特性及其用于光tisticofadieleetricbarirerdis-ehargesusingeapilarydieleetrieanditsapplieationtop.hootresitsetcling〔刊英〕/c一hYiY一h.Lee.D..weetroniesL一Kim//Elettesr一2003163一723727Eu0603476激光脉冲加热枪膛腐蚀机理=Gnboererosinch-nome,s.ams:evisstedwitasereanhlpulsehtsg〔刊英〕/PJoCreoaoeeoneSee23dsETEL16347M8一一00一48E30603477纳米印刻模检验电磁特性二EleetromagnetiCcharaete约-za:inofonnaoimp‘ntnsunfeiDengandAndrewR.nrlodipectsonourna〔刊英〕/YNeureuthlofvaeuumeore//JSienee&TeehnolgyB2003130一一211134E()一0603478采用传统电子束光刻技术制备中介超导rN=Fb-ieationob’线afrnesoseeonvenoPiesupercondueringNbwiusingtionarsel。ee一eaora]tnro。teenuesbmIhgphhiq〔刊英〕/NamKimaansenournaoaeuuKlsvH//JlfVmS‘-enee&TeehnologyB一2002201()一386(E)0347069修正:代换技术=Membranemaskmagiif-t旧n。orreet:so。月rernare:eehnique〔刊英〕/Ken一eshurooaeaeournkMihlHLim//J目of\\厂aeuuemSienee膜掩模偏差eaM一2002201()一370(E)0603480多层掩模粗糙度对深紫外光刻的影响=fEfecst。u-fmlatllayeruonemsakorghxtreemlutraviol改ph,〔刊英〕/Yunfeenslthogra-iDeng-osoouaoaeuTmPrJnrfVueeneeeenoomS&ThgyB一2002201一344(E)0603481深紫外光刻静电掩模保护=Elect-orsttaic二askprotectionfo:extremeultravioletlithography〔刊英〕/RoelMoorsandGerr一aneeensounaoaeuueeneeHSJJVmooyThgB&ceo一2002)102(一316(E)Ex0603482一电子束掩:1刻方案=Mee模刻写ys机械系统构建nmte0硅片光hanlcalSmcosntruetionfortheEx一11eeeasrrsuronrnaerroneabnrmkweAoof100mwf-orane,rohgphy〔刊英〕/KinrinobuAkenouhogasgMwa澎/Journaoeienee2002lfVaeuumS&TeehnologyB201()一311(E)一0603483高QlnP微片基于CH4=CH4一aserbddyerenhg。fhighQl碑mie干法蚀刻or山sks〔刊英〕/seungJuneChoiaoounnKsodveJDd缸dVaeuumSicenee&Teehno.logyB一2002201一301(E)0603484亮峰增强X射线透明相位掩模=B五gthpeak。nhnaecdx一rayeeareas〔刊英〕/Le;YanganeoephsamkFCnSe,enee&TeohnologyB2002岁/JouranlofVaeuum012一250一C4/0603485HH2反应离子蚀刻工nP宏观均匀性及其防护环使用后的改进=Investigationofmaeroseopieuni钻rmityduringCH4/reaeHZtiveioneteh,ngof工nPanditsim-provement.byuseofaguardring〔刊英〕/KJaniakandU.Niggebruge//JournalofVaeu-gyB一2002201()一105(E)nruSeienee&Teehnolo486电子束光刻模拟划分方法改进=工mprovn’eIent0603讯parit-tioningmethodforeleetronbearnlirhograph丫simulation〔刊英〕/5.ayAuournTHfmJ吐ofVaeuumSeieneeB&Teehnology一200220一)一90(E)0603487连续扫描自互补掩模的球面衬底上离子束相邻光刻二Ionbeamproximiryllthographyonspheriealousbtrateswitheontinuouslyseannedse仁eoraumplelnentarynaskslRuehhoe{t、〔刊英〕/P。ournaJC/Jlofvaeu-w/.。eenrSiene&TeehnologyB一2002201一87(E)0603488模拟深紫外光刻掩模缺陷的实用方法=rPcatcila叩-proaehfordefeetsomdelingextreoet..meultrgrapuaviltlihymaslhok〔刊英〕/EMGlik:oneCC巧an//JournalofVaCuumscienee&TeehnologyB(E)一200220(1)一810603489一电子束光刻薄膜栅光阴极的I一av特性=IVcaehcseson一刀oor一zhgaredeaf1〔刊英〕/2.phtocatho.dese.fleetronbmoagyhphPeiandcNBerglundJournalo//fvcauumSeienee&TeehnologyB一2002201()65(E)一0603490采用CH4/IYZ和CH4/印/NZ的nIP感应藕合等离子体蚀刻二-InduetivleyupleplasmaetehingooCdfInpusIng一CH4an/dZCZHCH4/HZ/N〔刊英〕/HsinYhneanadHryE一2002201()一47(E)0603491采用中级能量离子散射确定超低廓瞬态区域的腐蚀速率=Dete能量mina二次离子tiono质谱轮ftheerosionrateinthetransientregionofanultoweneysee-ay理ionmassperlag’Idtcretryprofileusingmediumenr-ionseatte五ng〔刊mo英〕/C.F.Meconveille5H月-Harrhi//JournalofVaeuumSeienee&TeehnologyB204()一1690(E)一0603492低温远程等离子体清洗和聚合物残余=Lowre接触孔干法蚀刻形成的氟化碳rnperature:emoteplasmaClean-ngofrhe壬luoroearbonandpolyll飞erizedresiduesfoedmruringeootee:dntraldryhingoh〔刊英〕/HyungtakseosunaeonooonounaoaeuuggSgbkmJkkJ于VmSe卜Ce&TechnologyB一2002.20(斗)一2548(E)0603493在一个MERIE蚀刻器中电介质蚀刻的硅片温度测量=eWafertemPeraturerne路urementsduringdieleetrietehinginaMERxEeteher〔刊英〕/CalvinT.Gab五el//ournalofVaeuumSeienee&TeehnologyB一2002204一1542(E)06034941502选择性深等离子体蚀刻:不同氟化碳气体比较=Se!eetiveanddeepplasmaetehingof5102:Cogase。〔刊英〕/F.mparisonbe:weendif王eren:王luoroearbonGaoriaurG找州/ournalofVaeuumSeienee&Teehnology一20022JB0(4)一1514(E)0603495氟化碳气体感应蚀刻的光刻胶o藕合等离1oressse子体5ee02选择性机理=Phtitltivitymechanismin5102etehzngbyinduetivelyeoupleelplasrnauslngfluoroearbon37ong2002,enJ-〔刊英〕/Shin一eehm苗HdkMotomura//JournoaeuuneeafVSneeeeno&ThogyB一2002204()一1482(E)0603496多HZ等离子体处理低介电常数非晶氟化碳薄等离子体损伤减-少=Reduet膜蚀刻于onfOetehsngplasm。admageonlowdieereonseltietantuolf五natedanro印housear-bonfizmsbym己t,pel光plasmatreatment〔刊英〕/Jian-inS一M比ehouansaouaoaeuueKgTVmChJSneneeenoT&204hc笔yB一2002()一1476(E)0603497光学器件制备用C12/rA/HZ感应祸合等离子体离子蚀刻化学中H2对In反应P/玩aGAsP合金蚀刻轮影响=Effee廓的tofontheetehpileofInp/InGaAsplaoHZ邓inC12/凡丫IntiveforduelyeoupledplasmareaeriveioneteingeZHhhnreistriesforPhotoniedevieefabrieation〔刊英〕/SeanL.Ro二mel一aeunanouJygHJeneenalovaeuumSei&Teehnology盯/JrfB002204()一1327(E)一20603498高选择性各向异性干法刻蚀制备硅针形状控制=oCn-trolofshapeo王silieonnee己esfarbireatedbyhighlyselee-tiveanisotropiedryetehing〔刊英〕/MasakazuKaneehi-随oN“akiSu邵mo句//JournalofeuuaVmSesenee&TeehnologyB一2002204()一1298(E)0603499采用中等能量离子散射超低能量二次离子质态区间轮廓腐蚀速率=Determinat谱分析瞬tionofheerosionrateinthetransientregionofanuirraloweneyseeon塔-daryionma路speet-rometryPozleusingmediurn已nergyionseatte.r.fring口刊英〕/CFMcCbl飞vie-ll5H川Harthi2002//JournaILofVaeuumScienee&TeehnologyB204()一1690(E)一0603500用MEV、/A低能离子注入制备表层SI/CiS异质结构及其室温的光致发光特性〔刊中〕/王莉刀发光学报一2005265E()一636一640()0940压力加工与铸造、成形工艺0603501基于集对分析的战场态势分析模型〔刊中〕/张琳刀情报指挥控制系统与仿真技术一2005一572()5一559L()在防空作战中战场态势的分析非常重要它是辅助决策的基础。针对战场态势的问题以集对分析的同异反联系度和距离测试为基础构造了战场态势的分析模型进行了深入探讨。最后通过实例计算表明了分析模型对于评估战场态势的可行性有效性。参110603502对潜搜索的灰色整数规划模型〔刊中〕/熊小龙/情报指挥控制系统与仿真技术2546一274()58()L在对潜搜索中针对搜一00索兵力武器装一备战技性能的优劣、指挥人员的军政素质的高低、水文气象条件的好坏等因素均会随着时间的推移而发生变化的特点为了取得最佳的搜潜效果需要根据时间变化给不同的作战单元分派不同的作战任务。将整数规划与灰色模型相结合建立了对潜搜索的灰色整数规则模型给出了检验方法和求解步骤并举例分析说明。经验证该模型精度等级较高且能使各作战单元的搜索效率达到最佳因此可资对潜搜索兵力分配时借鉴。参60603503基于网络的指挥控制协同性能评估模型〔刊中〕/李志75()26刚//情报指挥控制系统与仿真技术一一20052一28(L)0603504基于事例推理的海上编队风险评估系统模型〔刊0中〕/孙永亮刀情报指挥控制系统与仿真技术一20572一一345345L()6()06035054105发动机缸体铸件渣气孔成因分析及对策〔刊中〕/祝要民刀河南科技大学学报(自然科学版)一2005一2653()37845(L)对4105一发动机缸机缸体铸件出现的批量渣气孔现象进行了分析。电镜分析和能谱分析表明渣气孔是渣致皮下气孔。其批量出现的原因主要是各种变化因素的不确定性已超出了工艺的承受能力不能简单地认为是工艺不合理为了证实分析结果进行了试验验证在此基础上提出了最大限度减少铸造缺陷的方法措施很好地解决了生产中废品率高的问题。参80603506表面小裂纹热锻模的疲劳寿命分析〔刊中〕/唐六丁刀1河南科0(L)技大学学报(自然科学版)一200526一8-5基于材料自由表面特性并考虑微观结构非均匀性根据金属疲劳裂纹萌生的微细观过程理论建立材料表面塑性应变分布模型。由于局部塑性变形在萌生可分辨疲劳小裂纹的循环周次中占主导地位本文将局部应力应变法应用于热锻模表面小裂纹扩展分析选取表面最大塑性应变作为出现热机械疲劳裂纹的预测依据计算的热锻模使用寿命与实践结果相吻合能基本预测热锻模寿命。该模型为表面强化工艺能提高热锻模的疲劳强度提供了理论依据。参906复合Logitsic03507模型对sARS区域疫情的动态描述〔中〕/王义康刀中国计量学院学报一2005刊61()2159一一162G、、根据传染病的发生发展流行和转归的基本规推导出描述疫情发展的复合Logisitc方程模型。模型曲线和模型参数的实际意义出发以北京地区律从
