专利名称：一种单向导通的高压启动电路专利类型：发明专利
发明人：陶平,高维,庄华龙,李海松,易杨波申请号：CN201110107257.3申请日：20110428公开号：CN102761238A公开日：20121031
摘要：本发明公开了一种单向导通的高压启动电路，包括：镜像电流源、电流源的产生控制模块、充电电容、第一P沟道MOS场效应晶体管M1和第二P沟道MOS场效应晶体管M2。实现步骤：当高压启动完成时，所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1可以视为一反向偏置的PN结，所述第二P沟道MOS场效应晶体管M2可以视为一正向偏置的PN结，由于所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1反偏，压降消耗在所述P沟道MOS场效应晶体管M2上，从而有效的保证了高压启动电流的单向流动性。本发明具有实现方法新颖，电路简单，可靠性高的优点。
申请人：苏州博创集成电路设计有限公司
地址：215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层
国籍：CN
代理机构：南京经纬专利商标代理有限公司
代理人：楼高潮
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