晶圆凸块简称凸块。可分为金凸块（Gold bumping）及锡铅凸块（Solder bumping），利用薄膜制程或化学镀制程技术及电镀或印刷技术，将銲锡或金直接置于IC脚垫上。晶圆焊锡凸块制程先是在芯片之焊垫上制作锡铅凸块，接着再利用热能将凸块熔融，进行封装（assembly）；此技术可大幅缩小IC的体积，并具有密度大、低感应、低成本、散热能力佳等优点。此凸块适合应用于如Flip Chip（覆晶封装）等，诸如液晶显示器、存储器、微处理、射频IC等皆可应用。制程包括Sputter UBM(Under Bump Metallurgy)、Photolithography、Plating、Etching等。此凸块适合应用于如TAB、Flip Chip等。
WLCSP则是选用更大的锡铅球来形成接点借以进行电性导通，其目的是增加元件与基板底材之间的距离，进而降低并承受来自于基板与元件间因热膨胀差异产生的应力，增加元件的可靠性。利用重分布层技术则可以让锡球的间距作有效率的安排，设计成矩阵式排列(grid array)。 采用晶圆制造的制程及电镀技术取代现有打金线及机械灌胶封模的制程,不需导线架或基板。 晶圆级封装只有晶粒般尺寸,且有较好的电性效能,因系以每批或每片芯片来生产, 故能享有较低之生产成本。
锡铅凸块(solder bumps)在先进IC封装技术的的领域中，有被应用愈来愈多的趋势。颀邦目前提供不同的凸块技术支援WLCSP的应用，这些技术包含电镀、蒸镀与銲球直接黏着等方式。覆晶封装(Flip Chip in Package，FCiP)需要在很密的间距(pitch)中植入小型凸块，而晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)一般只需要在较大的间距内，具有大得多的锡铅凸块。
WLCSP 的产品不需要有覆晶基板及under fill的制程，便可以进行SMT在PCB上，因此在产品成本上相对的比打线封装及覆晶封装更加低廉。并且可以达到最小尺寸封装(chip size)，可以做到轻薄短小的要求，在电气特性有最短的传输路径与优异的可靠度，应用在消费性及手持便携式产品是最能节省空间与成本的封装方式。
3.1 Automotive 3.2 LED
3.3 Medical devices 3.4 Driver / Switch 3.5 消费性产品 3.6 行动便携式产品
Service
Direct Solder Ball
Wafer sizeRe-passivation +Solder Ball RDL+ Solder Ball
6\" V V V
8\" V V V
Service Material PI Re-passivattion (Dielectric Layer) BCB RDL TiCu TiCuNi TiCu UBM TiCuNiAu SAC105 Solder Ball SAC305
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