专利名称：用于集成电路的线中屏蔽栅专利类型：发明专利
发明人：戈立新,杨斌,陆叶,鲍军静,P·奇达姆巴拉姆申请号：CN201880064420.2申请日：20180821公开号：CN111183516A公开日：20200519
摘要：公开了一种集成电路(IC)中的线中(MOL)屏蔽栅。在IC中的MOL层中制造一个或多个金属电阻器来减少半导体区域中的栅极到漏极寄生电容。通过在MOL层中制造金属电阻器，金属电阻器可以被定位为靠近半导体器件，以在不增加当前制造工艺的成本或缺陷的情况下，更有效地减小半导体器件的寄生电容。当前的制造工艺可以用于在MOL中创建触点来制造金属电阻器。
申请人：高通股份有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：张宁
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