专利名称：图像传感器、用于图像传感器的半导体结构及其制
造方法
专利类型：发明专利发明人：苏庆忠,卢玠甫申请号：CN201911074862.8申请日：20191106公开号：CN112310128A公开日：20210202
摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括电荷释放层的图像传感器。光探测器设置在半导体衬底内。刻蚀停止层上覆在光探测器上。滤色片上覆在刻蚀停止层上。介电栅格结构环绕滤色片。电荷释放层夹置在介电栅格结构与刻蚀停止层之间。电荷释放层环绕滤色片且包含导电材料。电荷释放层直接接触滤色片。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
国籍：CN
代理机构：北京派特恩知识产权代理有限公司
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