专利名称：具有改进配置的MEMS三轴磁传感器专利类型：发明专利
发明人：G·拉吉,G·兰格弗尔德,G·加特瑞,A·托齐奥,D·帕希申请号：CN201710515501.7申请日：20170629公开号：CN108254706A公开日：20180706
摘要：本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器。例如，一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2)，该感应结构具有：衬底(6)；外部框架(4)，该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7)，该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定；可移动结构(10)，该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P)；以及弹性安排(22，24)，该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。该可移动结构由于该第一弹性元件和该第二弹性元件以及弹性元件的该安排而执行：响应于源自第一磁场分量(B)的洛伦兹力的第一感应移动、响应于源自第二磁场分量(B)的洛伦兹力的第二感应移动、以及响应于源自第三磁场分量(B)的洛伦兹力的第三感应移动；该第一、第二和第三感应移动是不同的并且与彼此去耦。
申请人：意法半导体股份有限公司
地址：意大利阿格拉布里安扎
国籍：IT
代理机构：北京市金杜律师事务所
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