专利名称：一种提升单晶硅生长速度的导流筒专利类型：发明专利发明人：刘代军,黄华
申请号：CN201210564957.X申请日：20121224公开号：CN103882510A公开日：20140625
摘要：一种提升单晶硅生长速度的导流筒，包括内导流筒、外导流筒，内导流筒与外导流筒之间设有隔热碳毡，所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧铺设有热辐射反射层。所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧构成一密封的腔体，隔热碳毡位于密封的腔体内。本发明一种提升单晶硅生长速度的导流筒，将硅棒和加热器辐射到导流筒上的热量均能及时传递走，加速了晶棒的冷却，实现拉晶速度的显著提高。提升生产效率的同时，降低能耗。另外，热辐射反射层由内、外导流筒将其封闭，杜绝了杂质对拉晶的影响。
申请人：九州方园新能源股份有限公司
地址：443300 湖北省宜昌市宜都市红花套镇光伏产业园区
国籍：CN
代理机构：宜昌市三峡专利事务所
代理人：成钢
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容