专利名称：一种多层氮化硅膜的制备方法专利类型：发明专利发明人：张春萍
申请号：CN201310305712.X申请日：20130718公开号：CN104300033A公开日：20150121
摘要：本发明是一种多层氮化硅膜的制备方法，按如下步骤进行：A.将经过制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜；B.得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C.继续在高折射率氮化硅减反膜的基础上再次沉积折射率略低的氮化硅减反膜；D.重复B步骤；E.在第二层氮化硅减反膜的基础上沉积低折射率氮化硅减反膜，得到三层氮化硅减反膜。在晶体硅太阳能电池上面沉积多层氮化硅减反膜，能够提高太阳能电池表面的钝化效果，并且降低电池的反射率，对电池的短流、开压都有好处，从而提升太阳能电池的效率。
申请人：北京中科信电子装备有限公司
地址：101111 北京市通州区光机电一体化产业基地兴光二街6号
国籍：CN
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