刘瑞文等：用ＰＥＣＶＤ制备高抗腐蚀性能ＳｉＮ 薄膜的工艺研究 用ＰＥＣＶＤ制备高抗腐蚀性能ＳｉＮｚ薄膜的工艺研究 刘瑞文，焦斌斌，欧 毅，陈大鹏 （中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室，北京１０００２９） 摘 要： 研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化 硅薄膜的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）生长工 艺。通过Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）、椭圆偏振仪、湿法 ２ 实验方法 实验选用４英寸ｐ型（１００＞硅片为衬底，电阻率７ ～腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗 腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变 １３Ｑ・ｅｍ，经常规半导体清洗工艺对硅片进行清洗， 化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液（７０℃、 ３３．３ ＫｏＨ溶液）中支撑１２ｈ而无明显变化，并实现 用ＰＥＣＶＤ淀积氮化硅薄膜，设备选用中科院微电子 研究所ＰＥＣＶＤ，型号为ｐｌａｓｍａ ＩＩ。淀积过程中频率 固定为１５８ｋＨｚ，压力恒为５３．３２９Ｐａ，Ｎｚ为５．１ ｍＬ／ 自支撑全镂空薄膜。 关键词： 等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）；ＳｉＮ 薄膜；湿法腐蚀 中图分类号：ＴＢ３２１ 文献标识码：Ａ ｍｉｎ，腔体内温度恒为２７０℃，改变ＲＦ功率和比例，生 长时间为１０ｍｉｎ，具体工艺条件如表１、２所示，制备得 到不同样品。淀积完成后，分别用膜厚仪和椭圆偏振 文章编号：１００１－９７３１（２０１０）１１－１９０７—０４ 仪测量各样品薄膜厚度和折射率，用ＸＰＳ分析薄膜成 分，然后在３３．３ 的Ｋ０Ｈ腐蚀溶液，７０℃的恒温条件 下腐蚀１ｈ，腐蚀完成后，用去离子水进行清洗，氮气吹 干，再次用膜厚仪测量出腐蚀后的薄膜厚度，记录测量 结果。 １ 引 言 氮化硅由于其良好的机械和电学性质被广泛地应 用于微电子、光电子和微机电系统（ＭＥＭＳ）等领域。 在ＭＥＭＳ领域中，氮化硅薄膜除了作为结构材料、敏 感材料外［１ ］，最大的应用就是作为湿法腐蚀的掩蔽 层 ］。 表１ 不同功率条件下制备薄膜的工艺参数 Ｔａｂｌｅ １ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｕｎｄｅｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ＲＦ ｐｏｗｅｒ 片号 ＲＦ功率 （Ｗ） Ａ Ｂ＃ Ｃ＃ Ｄ 硅烷 ４５ ４５ ４５ ４５ 氨气 ４９ ４９ ４９ ４９ 压力 生长时间 （ｍｉｎ） １０ １Ｏ １０ １０ （ｍＬ／ｍｉｎ） （ｍＬ／ｍｉｎ） （Ｐａ） ５３．３２９ ５３．３２９ ５３．３２９ ５３．３２９ 氮化硅薄膜常用的制备方法有：蒸发Ｌ８］、ＲＦ磁控 １７０ １９Ｏ ２１０ ２３０ 溅射 ］、低压化学气相淀积ＬＰＣＶＤ或等离子体增强 化学气相淀积ＰＥＣＶＤ ｒ１仉“ 等。蒸发、溅射方法所制 备的氮化硅薄膜质地疏松、致密性差，现已很少使用。 Ｅ ２３８ ４５ ４９ ５３．３２９ １０ ＬＰＣＶＤ方法可制备出致密度好、低应力的高质量氮化 硅薄膜，因此被用作抗碱腐蚀氮化硅薄膜的常规制备 方法Ｉ１ 。但是采用ＬＰＣＶＤ的方法淀积氮化硅薄膜 时的沉积温度太高（一般高于１０００Ｋ），这使得很多含 有温度敏感材料或结构的芯片无法耐受这个过程。而 ＰＥＣＶＤ是一种低温技术，这一优点使该方法可以为 已经制备有特殊敏感材料或者标准ＣＭｏＳ电路的芯 片上淀积具有抗腐蚀能力的氮化硅薄膜，从而实现一 些特殊的传感器件与电路的芯片级集成［１ 州。 ＰＥＣＶＤ工艺由于工作真空度低，所淀积出的氮化 硅薄膜通常都含有氧、氢等元素，再加上等离子体对薄 Ｆ Ｇ Ｚ５Ｏ ２６Ｏ ４５ ４５ ４９ ４９ ５３．３２９ ５３．３２９ １０ １０ 表２不同气体流量比下制备薄膜的工艺参数 Ｔａｂｌｅ ２ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｕｎｄｅｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ Ｓｉｌ４／ ＮＨ３ 片号 ＳｉＨ ／ＮＨ。 ＲＦ功率 压力 生长时间 （Ｗ） （Ｐａ） ５３．３２９ （ｍｉｎ） １Ｏ １ Ｏ．６１ ２３８ ２ ３＃ Ｏ．６７３ Ｏ８ ．２３８ ２３８ ５３．３２９ ５３．３２９ １０ １Ｏ ４ ５＃ ６ ７＃ ８ ９ ｌＯ ｏ．９ １ １．９４２ ２．９３４ ３．４４ ４．５３ ４．８１ ２３８ ２３８ ２３８ ２３８ ２３８ ２３８ ２３８ ５３．３２９ ５３．３２９ ５３．３２９ ５３．３２９ ５３．３２９ ５３．３２９ ５３．３２９ １Ｏ １Ｏ １Ｏ １Ｏ １Ｏ １Ｏ １Ｏ 膜的轰击所产生的表面缺陷等问题［１ ，制备出的氮化 硅薄膜致密性较差往往难以承受高温强碱溶液的腐 蚀［１ 。。］。本文通过研究ＰＥＣＶＤ淀积氮化硅薄膜的功 率与气体流量比等关键条件，摸索出了制备高致密度、 可抗高温强碱腐蚀的氮化硅薄膜制备工艺。 ＊根据腐蚀前后所测量的薄膜厚度计算出腐蚀速 基金项目：国家高技术研究发展计划（８６３计划）资助项目（２００７ＡＡ０４Ｚ３２３） 收到初稿日期：２０１０—０３—１２ 收到修改稿日期：２０１０—０９—１５ 通讯作者：焦斌斌 作者简介：刘瑞文（１９６８－－），男，内蒙古呼和浩特人，在读硕士，师承陈大鹏研究员，主要从事红外焦平面阵列研制及关键工 艺研究。 １９０８ 助 财 料 ２０１０年第１ｉ期（４１）卷 ｃ．Ｅｃ、３— ｃｏ一 西ｏ△ｏ凸 率。在腐蚀过程中，为了保持实验样品的其它条件和 上也反映材料的结构和致密度。通常情况下其它条件 环境相同，我们将所有试验样品同时放入同一Ｋ０Ｈ 溶液中进行腐蚀。 ３实验结果与讨论 ３．１ ＲＦ功率对氮化硅薄膜的影响 相同功率不同时，主要是影响淀积速率，进而影响到薄 膜的致密度，导致折射率和腐蚀速率的变化，此时折射 率和腐蚀速率向相反方向变化。对于同种材料，薄膜 越致密，折射率越大，腐蚀速率越小。对于本实验，我 们观察到的实验结果为折射率和腐蚀速率向相同方向 变化。因氮化硅薄膜的折射率和在碱液中腐蚀速率均 此实验研究了功率从１７０Ｗ增加到Ｚ６０Ｗ时对薄 膜性能的影响。图１给出了淀积速率与ＲＦ功率关系 图。从图中看出，随着功率升高，淀积速率逐渐增大。 随Ｓｉ含量的增加而增大，所以本实验观察到的结果应 主要由薄膜内各原子含量的不同所引起。ＰＥＣＶＤ反 这是因为当功率升高时，真空腔中的单位体积内的电 应非常复杂，据文献报道，这种现象是由于ｓｉ—Ｈ键 子平均能量提高，这些高能电子通过碰撞使得等离子 体中反应活性粒子数增加，反应粒子数增加了，自然也 引起了淀积速率的增加。 Ｆｉｇ １ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ ａｓ ａ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ ＲＦ ｐｏｗｅｒ 图２给出了折射率和腐蚀速率与ＲＦ功率关系变 化折线图。从图２中看出，折射率和腐蚀速率的变化 趋势基本相同，随着功率的增大，折射率和腐蚀速率均 先增大后减小，接着再增大。当ＲＦ功率从１７０Ｗ增 大到２１０Ｗ时，腐蚀速率从１２．２ｎｍ／ｈ增加到２７．７ｎｍ／ ｈ，折射率也从２．２１６７增大到２．２５９９，当功率为２１０Ｗ 时，折射率和腐蚀速率达到最大值，分别为０．２２５９９和 ２７．７ｎｍ／ｈ。此后开始下降，ＲＦ功率在２３８Ｗ时，折射 率减小到最小值为２．０４９５，腐蚀速率则继续减小，直 到功率２５０Ｗ时减到最小值，为１０．３ｎｍ／ｈ，此后开始 增大，当功率为２６０Ｗ时，折射率增加到２．２２０２，腐蚀 速度增加到２１．９ｎｍ／ｈ。 图２ 腐蚀速率折射率与ＲＦ功率关系图 Ｆｉｇ ２ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｒａｔｅ ａｎｄ ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ ａｓ ａ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ ＲＦ ｐｏｗｅｒ 折射率可以直接反映材料的结构和致密度，腐蚀 速率不仅可以反映材料的类型和成分，而且一定程度 的键能与Ｎ—Ｈ键的键能不同，通过功率的变化，引起 各键的破裂情况不同，最后造成薄膜内Ｓｉ、Ｎ原子含量 以及Ｈ的含量不同，最后造成折射率和腐蚀速率的变 化［１９，２１３，对于各薄膜内Ｈ含量，可通过ＦＴ—ＩＲ测量计 算得到 。 理想的氮化硅薄膜的折射率约在２．０左右，此时 Ｓｉ、Ｎ比例接近０．７５。所以本实验通过不同功率下得 到的腐蚀速率和折射率的综合结果，我们最终选择功 率为２３８Ｗ条件下研究气体流量比对薄膜的影响。 ３．２气体流量比对氮化硅薄膜的影响 图３为淀积速率随气体流量比的变化关系图。从 图３中看出，当ＳｉＨ ／ＮＨ。从０．６１增加到０．９时，淀 积速率从１３．９ｎｍ／ｍｉｎ增加到１８．３ｎｍ／ｍｉｎ，此后开始 降低，直到ＳｉＨ ／ＮＨ。为１．９４２时，淀积速率减小到极 小值，为１４．７ｎｍ／ｍｉｎ，此后随着气体流量比的增大而 增加，直到ＳｉＨ ／ＮＨ。为４．８１时，淀积速率增大到 １８．５ｎｍ／ｍｉｎ。 圭１ Ｃ 童１ 舌１ 量 ｇ１ △ 吕１ 图３ 淀积速率与气体流量比关系图 Ｆｉｇ ３ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ ａｓ ａ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ ＳｉＨ４／ＮＨ３ ｒａｔｉｏ 对于淀积速率增加，主要由于等离子效应使得活 性离子分解，从而为淀积ＳｉＮ 薄膜提供了足够的原材 料，使得淀积工艺持续进行［２３３。而淀积速率减小，主 要由于当淀积速率达到一个临界值后，腔内充裕的活 性离子相互碰撞、相互作用影响了ＳｉＮ．的淀积，所以 出现了淀积速率的减小。 图４给出折射率和腐蚀速率随气体流量比关系 图。对于９、１０ 样品，在腐蚀过程中我们发现，在腐蚀 ３０ｍｉｎ后出现大量气泡，说明此时ＳｉＮ 薄膜已被腐蚀 透，开始腐蚀体硅。从图４看出，折射率和腐蚀速率均 随着ＳｉＨ ／ＮＨ。的增加而增大，当ＳｉＨ ／ＮＨ。从０．６１ 刘瑞文等：用ＰＥＣＶＤ制备高抗腐蚀性能ＳｉＮ 薄膜的工艺研究 增加到４．８１时，折射率只在开始阶段有微小的下降， 然后开始一直增大，最小值为２．００１０，最大值则达到 了３．１１３４；腐蚀速率则一直增大，从３．８ｎｍ／ｈ增大到 ３５９．２ｎｍ／ｈ。 Ｆｉｇ ５ Ｓｉ，Ｎ ａｔｏｍ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ａｓ ａ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ ＳｉＨ４／ ＮＨ３ ｒａｔｉｏ 从图５的ＸＰＳ分析结果看出，随着Ｓｉｌ ／ＮＨ。从 图 ０．８增加到３．４４时，薄膜内Ｓｉ的含量逐渐升高，而Ｎ Ｆｉｇ ４ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｒａｔｅ ａｎｄ ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ ａｓ ａ ｆｕｎｃｔｉｏｎ 的含量降低，薄膜内ｓｉ、Ｎ原子含量比Ｓｉ／Ｎ从最初的 ０ｆ ＳｉＨ４／ＮＨ３ ｒａｔｉｏ １．２６５增大到２．８４１。Ｓｉ含量的增加，导致折射率和在 对于上述实验结果，主要是由于形成的ＳｉＮ 薄膜 ＫＯＨ溶液中的腐蚀速率增大，验证了上述得到的腐蚀 内富硅所引起，随着Ｓｉｌ ／ＮＨ。的增加，薄膜内Ｓｉ的 研究结果。 含量逐渐升高 弘］，随着Ｓｉ含量的升高，薄膜的折射 率和在ＫＯＨ溶液中的腐蚀速率都增大。ＸＰＳ分析验 ４ 抗ＫＯＨ溶液腐蚀的ＳｉＮ 全镂空自支撑薄 证了此结果，表３和图５给出了样品ＸＰＳ分析结果。 膜的制备 表３样品ＸＰＳ分析Ｓｉ、Ｎ含量 通过研究ＰＥＣＶＤ工艺条件对ＳｉＮ 薄膜性能的 Ｔａｂｌｅ ３ Ｓｉ，Ｎ ａｔｏｍ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ａｓ ａ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ 影响，我们得到制备具有抗高温强碱腐蚀的ＳｉＮ 薄膜 ＳｉＨ４／ＮＨ３ ｒａｔｉｏ 时ＰＥＣＶＤ的工艺条件为：Ｓｉｌｌ ／ＮＨ。为０．６，Ｎ 为５． 片号 ＳｉＨ４／ＮＨ３ Ｓｉ含量（ ） Ｎ含量（ ） Ｓｉ／Ｎ １ｍＩ ／ｒａｉｎ，压力５３．３２９Ｐａ，射频频率１５８ｋＨｚ，功率 ３ ０．８ ３８．１４ ３０．１５ １．２６５ ２３８Ｗ，此条件下淀积的氮化硅薄膜在３３．３ 的Ｋ０Ｈ ４＃ Ｏ．９ ４Ｏ．９４ ２７．４０ １．４９４１６ ５ １ ４１．５８ ２１．９７ １．８９２５８ 溶液中，７Ｏ℃的腐蚀速率只有３．８ｎｍ／ｈ。在此工艺条 ６ １。９４２ ４４．８４ ２３．７６ １．８８７２ 件下，我们通过湿法腐蚀释放，制备出具有强抗碱腐蚀 ７＃ ２．９３４ ４４．５７ １８．４８ ２．４１１８ 性能的自支撑全镂空氮化硅薄膜，如图６所示。 ８ ３．４４ ４６．７６ １６．４６ ２．８４１ 雷 冒 圈ｓｉ 口ＳｉＮ （３）背面全镁空 图６ ＳｉＮ 自支撑全镂空薄膜显微镜图 Ｆｉｇ ６ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｉｍａｇｅｓ ｏｆ ｓｅｌｆ＿ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ ａｎｄ ｆｕｌｌ—ｈｏｌｌｏｗ ＳｉＮ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ 自支撑全镂空氮化硅薄膜制备的主要工艺步骤 ＳｉＮ 薄膜。 为：（１）ＰＥＣＶＤ方法双面淀积ＳｉＮ 薄膜，正面厚度 从显微镜图中看出，薄膜出现褶皱现象比较严重， １ ｍ，制作自支撑薄膜，背面淀积５００．Ｏｎｔｏ，用作湿法 这是由于薄膜内压应力较大所引起的。采用Ｔｏｈｏ 腐蚀的掩模；（２）背面光刻体刻蚀窗，ＩＣＰ背面刻蚀 Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ公司的应力测试仪ＦＩ Ｘ一２３２０对所生长的 ＳｉＮ ，形成矩形窗口；（３）在７Ｏ℃，３３．３ 的ＫＯＨ溶 液背面腐蚀体硅，直到全镂空，释放得到具有自支撑的 氮化硅薄膜进行了测试，结果为～５８４ＭＰａ。应力测试 结果与全镂空白支撑薄膜所表现出的褶皱相符。关于 １９１０ 开展。 助 材 科 ２０１０年第１１期（４１）卷 如何制作出平整白支撑薄膜的工艺还有待后续工作的 Ｔｅｃｈｎｏｌ，２００５，１２（１３７—１４２）：１３８—１４Ｏ． ［１２］陈大鹏，叶甜春，谢常青，等．［Ｊ］．半导体学报，２００１，２２ （１２）：１５２９． ５ 结 论 通过研究ＰＥＣＶＤ不同射频功率和气体流量比等 工艺参数对ＳｉＮ 薄膜抗碱腐蚀性能的影响，借助折射 ［１３３ Ｃｈｏｕ Ｂｒｕｃｅ Ｃ Ｓ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔ— ｔｅｒｓ，１９９７，１８（１２）：５９９－６０ｉ． ［１４］Ｔｕａｎｔｒａｎｏｎｔ Ａ，Ｌｉｅｗ Ｌｉ—Ａｎｎｅ，Ｂｒｉｇｈｔ Ｖ Ｍ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］． Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ，２００１，８９（１２４—１３４）：１２５—１２６． 率测量、ＸＰＳ分析以及湿法腐蚀等手段，获得制备抗高 温强碱溶液腐蚀的高性能ＳｉＮ 的工艺条件，并将此条 件下制备的ＳｉＮ 薄膜成功运用到湿法腐蚀的掩蔽层， 最终实现了自支撑全镂空ＳｉＮ 薄膜。 ［１５］Ｓｏｕｍｉｋ Ｇｈｏｓｈ，Ｍａｇｄｙ Ｂａｙｏｕｍｉ．Ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ＣＭＯＳ－ ＭＥＭＳ Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ—Ｃｈｉｐ．０－７８０３—８９３５—２／０５／￥２０．ｏｏ ２００５ ＩＥＥＥ． ［１６］Ｔａｋａｏ Ｈ，ｌｅｈｉｋａｗａ Ｔ，Ｎａｋａｔａ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｐｏｓｔ—ｃｍｏｓ Ｉｎｔｅ— ｇｒａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｔｈｉｃｋ・—ｆｉｌｍ Ｓｏｉｍｅｍｓ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｕ—－ 参考文献： ｓｉｎｇ Ｍｉｃｒｏ Ｂｒｉｄｇｅ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎｓ．９７８—１—４２４４—１７９３—３／ ［１］ Ｋｉｍ Ｄ Ｈ，ｏｈ Ｋ Ｓ，Ｐａｒｋ Ｓ．［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｃｉ— ｏ８／￥２５．ｏｏ ２００８ ＩＥＥＥ：３５９—３６０． ｅｎｅｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００９，２３：１５３７． ［１７］Ｃｈｏ Ｓ Ｍ，Ｋｏ Ｓ Ｃ，Ｈａ Ｓ Ｃ，ｅｔ ａ１．Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ［２］ Ｌｉｕ Ｃ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．ＩＥＥＥ／ＡｓＭＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏ— Ｎｏｓｅ Ｓｙｓｔｅｍ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｐｏｓｔ ＣＭＯＳ Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎ－ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ（ＪＭＥＭＳ），１９９９，８（１）：９Ｏ一９９． ｉｎｇ．０－７８０３—９０５６—３／０５／￥２０．ｏｏ ２００５ ＩＥＥＥ：４２２． ［３］ Ｌｉｍ Ｓ Ｈ，Ｈｏｒｏｗｉｔｚ Ｒ，Ｍａｊｕｍｄａｒ Ａ．［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉ— ［１８］余京松，马青松，葛曼珍，等．［Ｊ］．中国陶瓷工业，１９９９，６ ｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００６，１６：１２５９． （１）：２１—２２． ［４］ Ｄａｔｓｋｏｓ Ｐ Ｇ，Ｌａｖｒｉｋ Ｎ Ｖ，Ｒａｊｉｃ Ｓ．［Ｊ］．Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｓｃｉｅｎ— ［１９］ 李新贝，张方辉，牟 强，等．［Ｊ］．材料保护，２００６，３９ ｔｉｔｌｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｖｏｌｕｍｅ，２００７，４：１】３６． （７）：１３—１４． ［５］ 徐方迁，徐联，何世堂．［Ｊ］．半导体学报，２００４，２５（５）： ［２Ｏ］Ｓｕｎｄａｒａｍ Ｋ Ｂ，Ｓａｈ Ｒ Ｅ，Ｂａｕｍａｎｎ Ｈ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏ— ５９８． ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００３，７０（１０９—１１４）：１１０—１１３． ［６］ 吴吴，孟永钢，苏才钧，等．［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈａｒｂｉｎ Ｉｎ— ［２１］Ｐｏｎｃｅ￣Ａｌｅａｉｎｔａｒａ Ｓ，ｄｅｌ Ｃａｎｉｉｚｏ Ｃ，Ｈｏｆｓｔｅｔｔｅｒ Ｊ，ｅｔ ａ１． ｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００７，３８（４）：５９３—５９４． ［Ｊ］．ＩＥＥＥ，２００７，５：３４—３５． ［７］ 吴昊，孟永钢，苏才钧，等．ＥＪ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ［２２］ Ｍｏｏｎ Ｓ，Ｋｉｍ Ｋ，Ｙｏ Ｉ，ｅｔ ａ１．Ｎ２ Ｐｌａｓｍａ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ Ｓｔｒｅｎｇｔｈ，２００７，２９（２）：２３４—２３５． Ｅｆｆｅｃｔｓ ｉｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｆｉｌｍ Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｕｒ— ［８］ Ｍｏｌｉｎａｒｉ Ｍ，Ｒｉｎｎｅｒｔ Ｈ，Ｖｅｒｇｎａｔ Ｍ．［Ｊ］．Ｊ Ｐｈｙｓ Ｄ：Ａｐ— ｆａｃｅ Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｒＣ］．Ｏｓｏｋｎ：３ｒｄ Ｗｏｒｌｄ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ｐｌ Ｐｈｙｓ，２００８，４１：１７５４１０． Ｐｈｏｆｏｖｏｌｒａｉｃ Ｅｎｅｒｇｖ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ，２００３．１０２—１０３． Ｅｆｔ］ Ｒｅｂｉｂ Ｆ，Ｔｏｍａｓｅｌｌａ Ｅ，Ｄｕｂｏｉｓ Ｍ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ ［２３］Ｋｉｍ Ｄ Ｓ，Ｙｏｏｎ Ｓ Ｇ，Ｊａｎｇ Ｇ Ｅ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｊ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｅ— Ｆｉｌｍｓ，２００７，５１５：３４８０—３４８７． ｒａｍ，２００６，１７：３１６－３１７． ［１０３ 王玉林，郑雪帆，陈效建．［Ｊ］．固体电子学研究与进展， ［２４］Ｋａｒｕｎａｇａｒａｎ Ｂ，Ｃｈｕｎｇ Ｓ Ｊ，Ｖｅｌｕｍａｎｉ Ｓ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｍａ— １９９９，１９（４）：４４８—４５２． ｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００７，１０６：１３１． ［１１］ Ｍｕｓｓｏｎ Ｌ Ｃ，Ｈｏ Ｐ，Ｐｌｉｍｐｔｏｎ Ｓ Ｊ，ｅｔ ａ１．［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔ Ｔｈｅ ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ｈｉｇｈ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ。ｒｅｓｉｓｔａｎｔ ＳｉＮ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ＬＩＵ Ｒｕｉ—ｗｅｎ，ＪＩＡＯ Ｂｉｎ－ｂｉｎ，０Ｕ Ｙｉ，ＣＨＥＮ Ｄａ—ｐｅｎｇ （Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｄｅｖｉｃｅｓ＆Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ。 ｔｈｅ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｏｆ Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００２９，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ｈｉｇｈ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ—ｒｅｓｉｓｔａｎｔ ＳｉＮ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａ— ｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＥＣＶＤ）ｗａｓ ｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅ ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ ａｎｄ ｆｉｌｍ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｗｅｒｅ ｓｔｕｄｉｅｄ ｂｙ ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ ａｎｄ Ｘ－ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ（ＸＰＳ）．Ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｔｕｄｉｅｓ ｗｅｒｅ ｃｏｎｄｕｃｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ａｌｋａｌｉｎｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｉｎｄｉｃｔｅｄ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｈａｖｅ ｇｒｅａｔ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｎ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ． ＳｉＮ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｗｉｔｈ ｈｉｇｈ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ—ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ，ｔｈｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｃａｎ ｅｎｄｕｒｅ １２ｈ ｉｎ ｈｉｇｈ—ｔｅｍｐｅｒａ— ｔｕｒｅ ａｌｋａｌｉｎｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ（７０℃，３３．３％ＫＯＨ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）ｗｉｔｈｏｕｔ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ ｃｈａｎｇｅ，ａｎｄ ａｃｃｏｍｐｌｉｓｈ ｓｅ】ｆ ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ ａｎｄ ｆｕｌｌ－ｈｏｌｌｏｗ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｆｉｎａｌｌｙ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ＰＥＣＶＤ；ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ；ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ