专利名称：一种锑化铟单晶的制备方法及其装置专利类型：发明专利
发明人：黄幸慰,朱刘,狄聚青,易明辉,刘运连,何志达,尹士平,
熊威
申请号：CN202010540297.6申请日：20200612公开号：CN111809229A公开日：20201023
摘要：本发明提供了一种锑化铟单晶的制备方法及其装置，涉及晶体的制备领域。本发明将锑化铟籽晶、锑化铟多晶以及三氧化二硼加入密闭容器中，再采用垂直布里奇曼法(VB法)进行晶体生长，制得锑化铟单晶，这样，晶体从熔体的底部开始生长，不会受到浮渣的干扰，且通过控制加热程序可实现晶体生长的自动化，相比Cz法，对拉晶工人工艺经验要求低，成品成功率高、位错密度低、质量稳定可控；通过在密闭容器的上方设置单独控温的加热区，能产生保温的效果，使物料能更准确地达到设定的温度，使所得晶体整体质量分布更均匀。
申请人：安徽光智科技有限公司
地址：239000 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济开发区内永阳路以东、南京路以西、安庆路以北、六安路以南
国籍：CN
代理机构：广州三环专利商标代理有限公司
代理人：颜希文
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