一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610272824.3 （22）申请日 2016.04.27

（71）申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

（10）申请公布号 CN105742391A

（43）申请公布日 2016.07.06

（72）发明人 叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮 （74）专利代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人 郑小粤

（51）Int.CI

H01L31/048; H01L31/0216;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

（57）摘要

本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化

隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠

层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。

法律状态

法律状态公告日2016-07-06 2016-08-03 2017-03-08

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法的说明书内容是....请下载后查看