专利名称：PECVD镀膜装置专利类型：实用新型专利
发明人：陈立国,吕旭东,李海燕,张受业,陈伟岸,贺艳,赵萌,朱
惠钦
申请号：CN201320858530.0申请日：20131224公开号：CN203653695U公开日：20140618
摘要：本实用新型提供了一种PECVD镀膜装置。该PECVD镀膜装置包括：预处理室（10），用于对基材（40）进行表面预处理；镀膜室（20），位于预处理室（10）下游，用于对经预处理室（10）预处理的基材（40）进行镀膜；以及收料室（30），设置在镀膜室（20）下游，用于收集经镀膜室（20）镀膜的基材（40）；预处理室（10）、镀膜室（20）以及收料室（30）之间为真空密封连接。本实用新型所提供的PECVD镀膜装置，能够保证基材表面处理时的清洁度，保证基材表面的镀膜质量。
申请人：北京北印东源新材料科技有限公司
地址：101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖东二路8号1幢1号
国籍：CN
代理机构：北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：刘元霞
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